大谷 直毅
オオタニ ナオキ
理工学部電子工学科
博士後期課程教授
Last Updated :2025/05/28

研究者情報

研究キーワード

  • 半導体光デバイス
  • 半導体光電子物性
  • 希土類
  • 窒化炭素
  • コロイド量子ドット
  • ペロブスカイト
  • 静電噴霧法
  • 量子井戸
  • 有機/無機ハイブリッド材料
  • ゾルゲル
  • 光触媒

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学 / 半導体光電子物性
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器 / 半導体光デバイス
  • ナノテク・材料 / 光工学、光量子科学
  • ナノテク・材料 / ナノ構造物理 / ナノ構造物性

研究歴

  • 1994-2001 超高速光スイッチの研究、および半導体ナノ構造の光物性の研究に従事
  • 2001-2005 半導体レーザ、および半導体ナノ構造の光物性の研究に従事

経歴

  • 同志社大学大学院, 理工学研究科博士後期課程, 2014年04月 - 現在
  • 同志社大学, 理工学部, 教授, 2011年04月 - 2014年03月
  • 同志社大学, 工学部, 助教授, 2005年04月 - 2011年03月
  • 独立行政法人 通信総合研究所(現、(独)情報通信研究機構), 基礎先端部門 光エレクトロニクスグル-プ, グループリーダー, 2001年04月 - 2005年03月
  • Communications Research Laboratory, Leader of research group, 2001年 - 2005年
  • 株式会社ATR研究所, 光電波通信研究所 通信デバイス研究室, 客員研究員, 1994年04月 - 2001年03月
  • 株式会社国際電気通信基礎技術研究所, 1994年 - 2001年

学位

  • 工学博士, 北海道大学
  • 工学修士, 北海道大学

所属学協会

  • 蛍光体同学会, 2024年01月, 9999年, url
  • 日本ゾルゲル学会, 2010年04月, 9999年
  • 有機EL討論会, 2004年04月, 9999年
  • 応用物理学会, 1994年04月, 9999年

委員歴

  • 総務省 持続可能な電波有効利用のための基盤技術研究開発事業(FORWARD) 専門委員, 2024年04月 - 現在, 政府
  • 専門委員, 2021年09月 - 現在, 総務省 Beyond 5G研究開発促進事業, 政府
  • 専門委員, 2003年04月 - 2024年03月, 総務省 戦略的情報通信研究開発推進事業(SCOPE), 政府
  • Program committee, 2012年07月 - 2013年07月, 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON), 学協会

受賞

  • IEDMS2015 Best Paper Award
    2015年

論文

  • A 30-nm-tunable photoluminescence caused by remote Γ-X-mixings in a GaAs/AlAs asymmetric seven-folded quantum-well superlattice separating with very thin barriers
    Rui Wang; Makoto Hosoda; Keisuke Hata; Kousuke Yoshida; Ryuto Murohara; Kouichi Akahane; Naoki Ohtani
    Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 165 116063 - 116063, 2025年01月, 研究論文(学術雑誌)
  • Preparation of dispersible carbon nitride powder and fabrication of its thin films by wet-process
    湊祥太; 永田浩規; 松田將誉; 大谷直毅
    Molecular Crystals and Liquid Crystals, 2024年07月, 研究論文(学術雑誌)
  • Preparation of red fluorescent materials for solution process using europium-doped benzoguanamine
    新美 尚弘; 竹村 春輝; 大谷 直毅
    Japanese Journal of Applied Physics, 63(1) 02SP17 , 2024年02月, 研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication of sodium-doped graphitic carbon nitride for photoelectrochemical water splitting into hydrogen
    栗田雄平; 青木瑞稀; 大谷直毅
    Japanese Journal of Applied Physics, 63(1) 01SP30 , 2024年01月, 研究論文(学術雑誌)
  • Improvement of Photocatalytic Effect of Carbon Nitride Dispersed in Calcium Alginate Thin Films by Using Platinum Cocatalyst and Application to Water Decomposition
    水野晃雅; 栗田雄平; 青木瑞稀; 大谷直毅
    Molecular Crystals and Liquid Crystals, 2023年04月
  • Examination of proper impurity doping and annealing conditions for solution processed Ga2O3 thin films
    百田明紘; 芝原拓哉; 李陳毅展; 大谷直毅
    Japanese Journal of Applied Physics, 62(SF) SF1018 , 2023年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Polymer light-emitting diodes operating in ultraviolet region consisting of simple bilayer polymer thin film
    高橋 昌之; 大谷 直毅
    Molecular Crystals and Liquid Crystals, 2023年02月, 研究論文(学術雑誌)
  • Extraction of natural blue emissive pigments from Fraxinus lanuginosa by column chromatograph
    大津智哉; 尾野龍也; 貴納悠介; 松倉秀一郎; 大谷直毅
    Molecular Crystals and Liquid Crystals, 2023年02月, 研究論文(学術雑誌)
  • Improved conductivity and flatness of solution-processed transparent multilayer ZnO conductive films by stacking method
    野尻 拓見; 百田 明紘; 大谷 直毅
    Molecular Crystals and Liquid Crystals, 743(1) 35 - 42, 2022年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Solution-processed light-emitting diodes consisting of metal-oxide and organic-inorganic hybrid emissive thin films
    春日 亮太; 橘 美里; 大谷 直毅
    Japanese Journal of Applied Physics, 61 041001 , 2022年04月01日, 研究論文(学術雑誌)
  • Analysis of electric-field domain formations and carrier transport phenomena in GaAs/AlAs asymmetric double-quantum-well superlattices
    松井 智德、西山 清流、後藤 祥仁、細田 誠、赤羽 浩一、大谷 直毅
    Japanese Journal of Applied Physics, 61(SB) SB1011 - SB1011, 2022年02月01日, 研究論文(学術雑誌)
  • Anomalous photoluminescence properties of emissive polymer originating from modulated chemical structures affected by antioxidant effect of natural β-carotene
    真方裕貴; 大谷直毅
    Japanese Journal of Applied Physics, 60(5) 051003 - 051003, 2021年05月01日, 研究論文(学術雑誌)
  • Study of isolation method of green fluorescent pigments contained in cherry tomatoes using column chromatography
    野間 葵; 大谷 直毅
    Japanese Journal of Applied Physics, 59(SC) SCCA09-1 - SCCA09-6, 2020年02月, 研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication and Characterization of Carbon Nitride Fluorescent Material Using Annealed Melamine
    K. Wada; N. Ohtani
    Physica Status Solidi (b), 256(6) 1800521 , 2019年06月, 研究論文(学術雑誌)
  • Natural dye-sensitized solar cells containing anthocyanin dyes extracted from frozen blueberry using column chromatography method
    Ayame Mizuno; Genei Yamada; Naoki Ohtani
    2018 IEEE 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, WCPEC 2018 - A Joint Conference of 45th IEEE PVSC, 28th PVSEC and 34th EU PVSEC, 1129 - 1131, 2018年11月26日, 研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Fabrication of aluminum and gallium codoped ZnO multilayer transparent conductive films by spin coating method and discussion about improving their performance
    Yusuke Morita; Naoki Ohtani
    Japanese Journal of Applied Physics, 57(2) 02CB03-1 - 02CB03-6, 2018年02月01日, 研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Evidence for various higher-subband resonances and interferences in a GaAs/AlAs asymmetric quadruple-quantum-well superlattice analyzed from its photoluminescence properties
    秦啓介; 細田誠; 赤羽浩一; 大谷直毅
    PHYSICAL REVIEW B, 95(7) 075309-9 , 2017年02月, 研究論文(学術雑誌)
  • Improvement of photoelectric conversion efficiencies of dye-sensitized solar cells consisting of hemispherical TiO2 films
    Shogo Izumi; Ayame Mizuno; Naoki Ohtani
    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 14 NO 6, 14(6) 1600186 , 2017年02月, 研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication of silica glass thin films containing organic emissive materials and application to multi-layer organic light-emitting diodes
    Ryo Nakagawa; Yusuke Jitsui; Akira Emoto; Naoki Ohtani
    MOLECULAR CRYSTALS AND LIQUID CRYSTALS, 641(1) 111 - 118, 2016年12月, 研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of dopant density dependence on transmittance and resistance of ZnO films fabricated using spin-coating method
    Yusuke Morita; Akira Emoto; Naoki Ohtani
    MOLECULAR CRYSTALS AND LIQUID CRYSTALS, 641(1) 106 - 110, 2016年, 研究論文(学術雑誌)
  • Enhancement of radiative efficiencies of near-ultraviolet organic light-emitting diodes by localized surface plasmon resonance effect
    A. Matsuoka; A. Emoto; N. Ohtani
    Journal of Physics, 647(1) 012058 , 2015年10月, 研究論文(学術雑誌)
  • 半導体超格子における電界ドメインの非線形ダイナミクス
    細田誠; 大谷直毅
    応用物理, 84(6) 508 , 2015年
  • Improved Photoluminescence Lifetime of Organic Emissive Materials Embedded in Organic-Inorganic Hybrid Thin Films Fabricated by Sol-Gel Method Using Tetraethoxysilane
    Naoki Ohtani; Masashi Tonoi
    MOLECULAR CRYSTALS AND LIQUID CRYSTALS, 599(1) 132 - 138, 2014年08月, 研究論文(学術雑誌)
  • Synthesis of uniform and high-density silver nanoparticles by using Peltophorum pterocarpum plant extract
    Matheswaran Balamurugan; Natesan Kandasamy; Shanmugam Saravanan; Naoki Ohtani
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53(5) 05FB19 , 2014年05月, 研究論文(学術雑誌)
  • Structural and optical studies of pure and Ni-doped ZnO nanoparticles synthesized by simple solution combustion method
    Murugesan Silambarasan; Shanmugam Saravanan; Naoki Ohtani; Tetsuo Soga
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53(5) 05FB16 , 2014年05月, 研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication and optical characterization of organic-inorganic hybrid films using ultraviolet-curable silsesquioxanes
    Hironori Akiyama; Naoki Ohtani
    Japanese Journal of Applied Physics, 53(2) 02BC18 , 2014年01月, 研究論文(学術雑誌)
  • Excitonic Rabi oscillations in self-assembled quantum dots in the presence of a local field effect
    K. Asakura; Y. Mitsumori; H. Kosaka; K. Edamatsu; K. Akahane; N. Yamamoto; M. Sasaki; N. Ohtani
    Physical Review B, 87(24) 241301 , 2013年06月, 研究論文(学術雑誌)
  • Excitonic Rabi oscillations in self-assembled quantum dots studied by photon echoes
    Kenta Asakura; Yasuyoshi Mitsumori; Hideo Kosaka; Keiichi Edamatsu; Kouichi Akahane; Naokatsu Yamamoto; Masahide Sasaki; Naoki Ohtani
    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 12, 9(12) 2513 - 2516, 2012年12月, 研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication of near-infrared polymer light-emitting-diodes using dispersed laser dye
    Yusuke Jitsui; Naoki Ohtani
    JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 60(10) 1557 - 1559, 2012年05月, 研究論文(学術雑誌)
  • White Organic Light-Emitting Diodes Using Two Phosphorescence Materials in a Starburst Hole-Transporting Layer
    Tomoya Inden; Tomoya Hishida; Masayuki Takahashi; Masato Ohsumi; Naoki Ohtani
    INTERNATIONAL JOURNAL OF PHOTOENERGY, 2012 703496 , 2012年03月, 研究論文(学術雑誌)
  • Organic near-infrared photodiodes containing a wide-bandgap polymer and an n-type dopant in the active layer
    Naoki Ohtani; Kiichiro Nakajima; Ken-ichi Bando
    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 9, 8(9) 2907 - 2910, 2011年09月, 研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Excitonic Rabi oscillations in semiconductor quantum dot observed by photon echo spectroscopy
    K. Asakura; Y. Mitsumori; H. Kosaka; K. Edamatsu; K. Akahane; N. Yamamoto; M. Sasaki; N. Ohtani
    PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, 1399 529 - 530, 2011年, 研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Fabrication of Organic Light-Emitting Diodes Using Photosynthetic Pigments Extracted from Spinach
    Naoki Ohtani; Natsuko Kitagawa; Takashi Matsuda
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50(1) 01BC08 , 2011年01月, 研究論文(学術雑誌)
  • Improvement of carrier transport and luminous efficiency of organic light-emitting diodes by introducing a co-deposited active layer
    N. Ohtani; M. Murata; K. Kashiwabara; K. Kurata
    Journal of Physics, 193 012106 , 2010年03月, 研究論文(学術雑誌)
  • Observation and numerical analysis of quantum subband energies from photoluminescence spectra of organic multiple-quantum wells
    Naoki Ohtani; Masaya Murata; Takafumi Yamamoto
    MICROELECTRONICS JOURNAL, 40(4-5) 867 - 868, 2009年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Experimental study on the condition of formation of electric-field domains in multiple finite superlattices
    N. Ohtani; S. Noma; K. Akahane; M. Hosoda; K. Fujita
    Microelectronics Journal, 40(4-5) 818 - 820, 2009年01月, 研究論文(学術雑誌)
  • 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran (DCM)-doping density dependence of luminescence spectra and white emission in polymer light-emitting diodes
    Akinori Inoue; Takeshi Hosokawa; Motoki Haishi; Naoki Ohtani
    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 1, 6(1) 334 - 337, 2009年01月, 研究論文(学術雑誌)
  • Influence of co-deposited active layers on carrier transport and luminescent properties in organic light emitting diodes
    Masaya Murata; Takayuki Yamamoto; Motoki Haishi; Taro Ando; Naoki Ohtani
    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 1, 6(1) 330 - +, 2009年01月, 研究論文(学術雑誌)
  • Photoluminescence properties of annealed InAs quantum dots capped by InGaAs layers
    Shingo Hiratsuka; Shanugam Saravanan; Takahisa Harayama; Naoki Ohtani
    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 1, 6(1) 189 - +, 2009年, 研究論文(学術雑誌)
  • 量子井戸マイクロチューブとウイスパリング・ギャラリーモードの発生
    細田 誠; 大谷 直毅
    表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan, The Surface Science Society of Japan, 29(12) 740 - 746, 2008年12月10日
  • Electric-field-direction dependence of carrier injection into high-energy states in asymmetric GaAs/AlAs multiple-quantum wells embedded in an n-i-n diode
    H. Kitamura; S. Hiratsuka; M. Hosoda; K. Akahane; and; N. Ohtani
    Journal of Physics, 109 012021 , 2008年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Various photoluminescence properties due to Gamma-X resonance in type-I GaAs/AlAs multi-quantum wells consisting of quantum wells with different thicknesses
    Naoki Ohtani; Hiroyuki Endo; Shingo Hiratsuka; Hiroshi Kitamura; Toshinari Takamatsu; Makoto Hosoda
    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 40(6) 2016 - 2018, 2008年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Photoluminescence properties affected by carrier transport between X and different first excited states originating from interface imperfection in GaAs/AlAs multi-quantum wells
    Hiroyuki Endo; Shingo Hiratsuka; Hiroshi Kitamura; Toshinari Takamatsu; Makoto Hosoda; Naoki Ohtani
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47(1) 682 - 684, 2008年01月, 研究論文(学術雑誌)
  • Strong optical emissions from two-dimensional metal photonic crystals with semiconductor multiple quantum wells
    Shin-ichiro Gozu; Akio Ueta; Kouichi Akahane; Naokatsu Yamamoto; Masahiro Tsuchiya; Naoki Ohtani
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 101(8) 086107 , 2007年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Metamorphic molecular beam epitaxy growth and selective wet etching for epitaxial layer lift-off of AlAsSb toward optical waveguides with high optical confinement
    Shin-ichiro Gozu; Kouichi Akahane; Naokatsu Yamamoto; Akio Ueta; Naoki Ohtani; Masahiro Tsuchiya
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 301(1) 955 - 958, 2007年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Growth of InGaSb quantum dot structures on GaAs and silicon substrates
    Naokatsu Yamamoto; Kouichi Akahane; Shin-ichirou Gozu; Akio Ueta; Naoki Ohtani; Masahiro Tsuchiya
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 46(4B) 2401 - 2404, 2007年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Site control of very low density InAs QDs on patterned GaAs nano-wire surfaces
    Akio Ueta; Kouichi Akahane; Sinichiro Gozu; Naokatsu Yamamoto; Naoki Ohtani; Masahiro Tsuchiya
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 301(1) 846 - 848, 2007年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • (In)GaSb/AlGaSb quantum wells grown on Si substrates
    Kouichi Akahane; Naokatsu Yamamoto; Shin-ichiro Gozu; Akio Ueta; Naoki Ohtani
    THIN SOLID FILMS, 515(10) 4467 - 4470, 2007年03月, 研究論文(学術雑誌)
  • Strong optical confinements inside the wavelength-size metal mirror microcavities: New concept for small light emitters using InAsSb QDs microcavities
    Akio Ueta; Sin-ichiro Gozu; Kouichi Akahane; Naokatsu Yamamoto; Masahiro Tsuchiya; Naoki Ohtani
    PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B, 893 1145 - +, 2007年, 研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Various photoluminescence properties observed in a GaAs/AlAs asymmetric double-quantum-well superlattice
    Naoki Ohtani; Makoto Hosoda
    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4, NO 2, 4(2) 353 - +, 2007年, 研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Optical cavity properties of metal mirror microcavities with InAsSb quantum dots
    Akio Ueta; Sin-ichiro Gozu; Kouichi Akahane; Naokatsu Yamamoto; Masahiro Tsuchiya; Naoki Ohtani
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 45(11) 8650 - 8652, 2006年11月, 研究論文(学術雑誌)
  • Residual carrier density in GaSb grown on Si substrates
    Kouichi Akahane; Naokatsu Yamamoto; Shin-ichiro Gozu; Akio Ueta; Naoki Ohtani
    THIN SOLID FILMS, 515(2) 748 - 751, 2006年10月, 研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication technique of ultra-high density semiconductor quantum dot
    Kouichi Akahane; Naokatsu Yamamoto; Shin-Ichiro Gozu; Akio Ueta; Naoki Ohtani; Masahiro Tsuchiya
    Journal of the National Institute of Information and Communications Technology, 53(3) 3 - 12, 2006年09月, 研究論文(学術雑誌)
  • Nanoscale structure fabrication of multiple AlGaSb/InGaSb quantum wells by reactive ion etching with chlorine-based gases toward photonic crystals
    Shin-ichiro Gozu; Kouichi Akahane; Naokatsu Yamamoto; Akio Ueta; Naoki Ohtani; Masahiro Tsuchiya
    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 24(5) 2291 - 2294, 2006年09月, 研究論文(学術雑誌)
  • Numerical method for coherent electron dynamics with potential-dependent effective-mass distributions in semidonductor heterostructures
    T. Ando; Y. Ohtake; N. Ohtani
    Physical Review E, 73(6) 066702 , 2006年06月, 研究論文(学術雑誌)
  • Study of InAsN quantum dots on GaAs substrates by molecular beam epitaxy
    A Ueta; K Akahane; S Gozu; N Yamamoto; N Ohtani
    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 243(7) 1514 - 1518, 2006年06月, 研究論文(学術雑誌)
  • Metamorphic InGaAs/AlAsSb quantum wells grown on GaAs substrates for intersubband devices operating toward short-wavelength region
    S. Gozu; A. Ueta; K. Akahane; N. Yamamoto; N. Ohtani; M. Tsuchiya
    Electronics Letters, 42(10) 601 - 602, 2006年05月, 研究論文(学術雑誌)
  • Optical communications waveband lasing from Sb-based quantum dot vertical-cavity laser
    N Yamamoto; K Akahane; SI Gozu; A Ueta; N Ohtani
    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 32(1-2) 516 - 519, 2006年05月, 研究論文(学術雑誌)
  • Change in band configuration of In0.57Ga0.43As1-xSbx/AlAs0.48Sb0.52 quantum wells from type-II to type-I by increasing Sb composition x
    S Gozu; K Akahane; N Yamamoto; A Ueta; N Ohtani
    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 32(1-2) 230 - 233, 2006年05月, 研究論文(学術雑誌)
  • 1.5 mu m emission from InAs quantum dots with InGaAsSb strain-reducing layer grown on GaAs substrates
    K Akahane; N Yamamoto; S Gozu; A Ueta; N Ohtani
    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 32(1-2) 81 - 84, 2006年05月, 研究論文(学術雑誌)
  • Observation of subband resonances between high-energy states in a series of asymmetric double-quantum-well superlattice systems
    M Hosoda; M Sato; Y Hirose; T Shioji; J Nohgi; C Domoto; N Ohtani
    PHYSICAL REVIEW B, 73(16) 165329 , 2006年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Selective formation of self-organized InAs quantum dots grown on patterned GaAs substrates by molecular beam epitaxy
    A Ueta; K Akahane; S Gozu; N Yamamoto; N Ohtani
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 45(4B) 3556 - 3559, 2006年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Interface states of AlSb/InAs heterointerfacee with AlAs like interface
    S. Gozu; K. Akahane; N. Yamamoto; A. Ueta; T. Ando; N. Ohtani
    Japanese Journal of Applied Physics, 45(4) 3540 - 3543, 2006年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • 1.55-mu m-waveband emissions from Sb-based quantum-dot vertical-cavity surface-emitting laser structures fabricated on GaAs substrate
    N Yamamoto; K Akahane; S Gozu; A Ueta; N Ohtani
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 45(4B) 3423 - 3426, 2006年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • All-optical control of the resonant-photon tunneling effect observed in GaAs/AlGaAs multilayered structures containing quantum dots
    N Yamamoto; K Akahane; SI Gozu; N Ohtani
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 87(23) 231119 , 2005年12月, 研究論文(学術雑誌)
  • Initial growth stage of GaSb on Si(001) substrates with AlSb initiation layers
    K Akahane; N Yamamoto; S Gozu; A Ueta; N Ohtani
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 283(3-4) 297 - 302, 2005年10月, 研究論文(学術雑誌)
  • Electron scattering between X and L indirect valleys in type-I GaAs/AlAs semiconductor superlattices
    M Hosoda; J Nohgi; N Ohtani
    PHYSICAL REVIEW B, 72(3) 033317 , 2005年07月, 研究論文(学術雑誌)
  • Circular polarization switch by using photo-chemically etched silicon
    N. Yamamoto; N. Ohtani; T. Matsuno; H. Takai
    Japanese Journal of Applied Physics, 44(7A) 4749 - 4751, 2005年07月, 研究論文(学術雑誌)
  • Over 1.3-μm laser emission from InGaSb quantum-dot diode fabricated on GaAs substrates
    N. Yamamoto; K. Akahane; S. Gozu; N. Ohtani
    Applied Physics Letters, 86(20) 203118 , 2005年05月, 研究論文(学術雑誌)
  • Characteristics of coupled mode of excitonic quantum beat and coherent longitudinal optical phonon in GaAs/AlAs multiple quantum wells
    T Furuichi; K Mizoguchi; O Kojima; K Akahane; N Yamamoto; N Ohtani; M Nakayama
    JOURNAL OF LUMINESCENCE, 112(1-4) 142 - 145, 2005年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Strong photoluminescence and laser operation of InAs quantum dots covered by a GaAsSb strain-reducing layer
    K Akahane; N Yamamoto; S Gozu; N Ohtani
    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 26(1-4) 395 - 399, 2005年02月, 研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Excitonic quantum beats dressed with coherent phonons
    K Mizoguchi; T Furuichi; O Kojima; M Nakayama; K Akahane; N Yamamoto; N Ohtani
    ULTRAFAST PHENOMENA XIV, 79 257 - 259, 2005年, 研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Demonstration of a nanophotonic NOT-gate using near-field optically coupled quantum dots
    Tadashi Kawazoe; Kiyoshi Kobayashi; Kouichi Akahane; Naokatsu Yamamoto; Naoki Ohtani; Motoichi Ohtsu
    2005 5th IEEE Conference on Nanotechnology, 1 579 - 582, 2005年, 研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Anomalous photoluminescence branches observed in an asymmetric double-quantum-well superlattice
    N Ohtani; N Yamamoto; J Nohgi; M Hosoda
    Physica Status Solidi C - Conferences and Critical Reviews, Vol 2, No 8, 2(8) 3006 - 3009, 2005年, 研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Growth of InAsSb quantum dots on GaAs substrates using periodic supply epitaxy
    A Ueta; SI Gozu; K Akahane; N Yamamoto; N Ohtani
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 44(20-23) L696 - L698, 2005年, 研究論文(学術雑誌)
  • High-quality GaSb/AlGaSb quantum well grown on Si substrate
    K Akahane; N Yamamoto; S Gozu; N Ohtani
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 44(1-7) L15 - L17, 2005年, 研究論文(学術雑誌)
  • Over 1.3 mu m CW laser emission from InGaSb quantum-dot vertical-cavity surface-emitting laser on GaAs substrate
    N Yamamoto; K Akahane; S Gozu; N Ohtani
    ELECTRONICS LETTERS, 40(18) 1120 - 1121, 2004年09月, 研究論文(学術雑誌)
  • Coupled mode of the coherent optical phonon and excitonic quantum beat in GaAs/AlAs multiple quantum wells
    K Mizoguchi; O Kojima; T Furuichi; M Nakayama; K Akahane; N Yamamoto; N Ohtani
    PHYSICAL REVIEW B, 69(23) 233302 , 2004年06月, 研究論文(学術雑誌)
  • All-optical switching and memorizing devices using resonant photon tunneling effect in multi-layered GaAs/AlGaAs structures
    N Yamamoto; N Ohtani
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 43(4A) 1393 - 1397, 2004年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Formation of electric-field domains in an asymmetric double-quantum-well GaAs/AlAs superlattice
    N Ohtani; Y Hirose; T Nishimura; T Aida; M Hosoda
    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 19(4) S89 - S90, 2004年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Research on Sb-based quantum dot laser
    Kouichi Akahane; Naokatsu Yamamoto; Naoki Ohtani
    Journal of the National Institute of Information and Communications Technology, 51(1-2) 79 - 84, 2004年03月, 研究論文(学術雑誌)
  • Uniaxial-strain-induced transition from type-II to type-I band configuration of quantum well microtubes
    N Ohtani; K Kishimoto; K Kubota; S Saravanan; Y Sato; S Nashima; P Vaccaro; T Aida; M Hosoda
    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 21(2-4) 732 - 736, 2004年03月, 研究論文(学術雑誌)
  • Growth of high-density InGaSb quantum dots on silicon atoms irradiated GaAs substrates
    N Yamamoto; K Akahane; N Ohtani
    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 21(2-4) 322 - 325, 2004年03月, 研究論文(学術雑誌)
  • Long-wavelength light emission from InAs quantum dots covered by GaAsSb grown on GaAs substrates
    K Akahane; N Yamamoto; N Ohtani
    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 21(2-4) 295 - 299, 2004年03月, 研究論文(学術雑誌)
  • Heteroepitaxial growth of GaSb on Si(001) substrates
    K Akahane; N Yamamoto; S Gozu; N Ohtani
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 264(1-3) 21 - 25, 2004年03月, 研究論文(学術雑誌)
  • Self-consistent calculation of subband occupation and electron-hole plasma effects: Variational approach to quantum well states with Hartree and exchange-correlation interactions
    T Ando; H Taniyama; N Ohtani; M Nakayama; M Hosoda
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 94(7) 4489 - 4501, 2003年10月, 研究論文(学術雑誌)
  • Role of A1 in spacer layer on the formation of stacked InAs quantum dot structures on InP(311)B
    K Akahane; N Yamamoto; N Ohtani; Y Okada; M Kawabe
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 256(1-2) 7 - 11, 2003年08月, 研究論文(学術雑誌)
  • Quantum-well microtube constructed from a freestanding thin quantum-well layer
    M Hosoda; Y Kishimoto; M Sato; S Nashima; K Kubota; S Saravanan; PO Vaccaro; T Aida; N Ohtani
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 83(5) 1017 - 1019, 2003年08月, 研究論文(学術雑誌)
  • Photoluminescence property of uniaxial strained GaAs/AlGaAs quantum wells contained in a micro-tube
    N Ohtani; K Kubota; P Vaccaro; T Aida; A Hosoda
    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 17(1-4) 391 - 392, 2003年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Growth of InAs quantum dots on a low lattice-mismatched AlGaSb layer prepared on GaAs(001) substrates
    N Yamamoto; K Akahane; S Gozu; N Ohtani
    FUNCTIONAL NANOMATERIALS FOR OPTOELECTRONICS AND OTHER APPLICATIONS, 99-100(1) 49 - 52, 2003年, 研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication of ultra-high density InAs-stacked quantum dots by strain-controlled growth on InP(311)B substrate
    K Akahane; N Ohtani; Y Okada; M Kawabe
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 245(1-2) 31 - 36, 2002年11月, 研究論文(学術雑誌)
  • Numerically stable and flexible method for solutions of the Schrodinger equation with self-interaction of carriers in quantum wells
    T Ando; H Taniyama; N Ohtani; M Hosoda; M Nakayama
    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 38(10) 1372 - 1383, 2002年10月, 研究論文(学術雑誌)
  • Photoluminescence from higher Γ-electron subbands and intersubband electroluminescence using X-G carrier injection in a simple GaAs/AlAs superlattice
    C. Domoto; T. Nishimura; N. Ohtani; K. Kuroyanagi; P. O. Vaccaro; T. Aida; H. Takeuchi; M. Nakayama
    Japanese Journal of Applied Physics, 41(8) 5073 - 5077, 2002年08月, 研究論文(学術雑誌)
  • Photoluminescence of GaAs/AlGaAs micro-tubes containing uniaxially strained quantum wells
    K Kubota; PO Vaccaro; N Ohtani; Y Hirose; M Hosoda; T Aida
    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 13(2-4) 313 - 316, 2002年03月, 研究論文(学術雑誌)
  • Excitation of right- and left-circularly polarized photoluminescence in silicon-based luminescent materials
    N Yamamoto; Hosako, I; M Akiba; N Ohtani; H Takai
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 91(5) 2725 - 2728, 2002年03月, 研究論文(学術雑誌)
  • Intersubband electroluminescence using X-Gamma carrier injection in a GaAs/AlAs double-quantum-well superlattice
    C Domoto; N Ohtani; K Kuroyanagi; PO Vaccaro; T Nishimura; H Takeuchi; M Nakayama
    PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II, 87 729 - 730, 2001年, 研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Intersubband electroluminescence using X-Γ carrier injection in a GaAs/AlAs superlattice
    C. Domoto; N. Ohtani; K. Kuroyanagi; P. O. Vaccaro; H. Takeuchi; M. Nakayama; T. Nishimura
    Applied Physics Letters, 77(6) 848 - 850, 2000年08月07日, 研究論文(学術雑誌)
  • Electric-field effects on photoluminescence properties in a GaAs/AlAs marginal type-I superlattice
    N Ohtani; C Domoto; N Egami; H Mimura; T Ando; M Nakayama; M Hosoda
    PHYSICA E, 7(3-4) 586 - 589, 2000年05月, 研究論文(学術雑誌)
  • Anomalous photoluminescence originating from resonance between X and intermediate states in GaAs/AlAs superlattices
    N Ohtani; C Domoto; K Kuroyanagi; N Egami; M Hosoda
    JOURNAL OF LUMINESCENCE, 87-9(1) 415 - 417, 2000年05月, 研究論文(学術雑誌)
  • Photoluminescence and carrier transport properties via the intersubband scattering in a GaAs/AlAs superlattice under applied electric field
    M Ando; M Nakayama; H Takeuchi; H Nishimura; N Ohtani; N Egami; M Hosoda; H Mimura
    JOURNAL OF LUMINESCENCE, 87-9(1) 411 - 414, 2000年05月, 研究論文(学術雑誌)
  • 半導体超格子における電界ドメイン形成と光電流発振
    大谷 直毅
    固体物理, アグネ技術センタ-, 35(4) 269 - 276, 2000年04月
  • Carrier transport in GaAs/AlAs type-II superlattices under electric field: Switch from X-X to Gamma-Gamma transfer
    M Hosoda; N Ohtani; K Kuroyanagi; C Domoto
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 76(14) 1866 - 1868, 2000年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Electric-field-induced combination of Wannier-Stark localization and type-I-type-II crossover in a marginal type-I GaAs/AlAs superlattice
    N Ohtani; C Domoto; N Egami; H Mimura; M Ando; M Nakayama; M Hosoda
    PHYSICAL REVIEW B, 61(11) 7505 - 7510, 2000年03月, 研究論文(学術雑誌)
  • Phase diagram of static and dynamic electric field domain formation in semiconductor superlattices
    N Ohtani; N Egami; HT Grahn; KH Ploog
    PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 272(1-4) 205 - 208, 1999年12月, 研究論文(学術雑誌)
  • Light-hole Stark-ladder photoluminescence induced by heavy-hole-light-hole resonance in a GaAs/InAIAs superlattice
    K Kuroyanagi; N Ohtani; N Egami; K Tominaga; M Hosoda; H Takeuchi; M Nakayama
    PHYSICA B, 272(1-4) 198 - 201, 1999年12月, 研究論文(学術雑誌)
  • Controllable bistabilities and bifurcations in a photoexcited GaAs AlAs superlattice
    KJ Luo; SW Teitsworth; H Kostial; HT Grahn; N Ohtani
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 74(25) 3845 - 3847, 1999年06月, 研究論文(学術雑誌)
  • Influence of strain effects on hole-subband resonances in GaAs/InAlAs superlattices
    K Kuroyanagi; N Ohtani; N Egami; K Tominaga; M Nakayama
    APPLIED SURFACE SCIENCE, 142(1-4) 633 - 636, 1999年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Gamma-Chi electron transfer in GaAs/AlAs type-I superlattices
    H Mimura; M Hosoda; N Ohtani; K Yokoo
    APPLIED SURFACE SCIENCE, 142(1-4) 624 - 628, 1999年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Electroluminescence in undoped GaAs/AlAs superlattice due to avalanche breakdown
    C Domoto; N Ohtani; K Kuroyanagi; PO Vaccaro; N Egami
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 38(4B) 2577 - 2579, 1999年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Transition between static and dynamic electric-field domain formation in weakly coupled GaAs/AlAs superlattices
    N Ohtani; N Egami; HT Grahn; KH Ploog; LL Bonilla
    PHYSICAL REVIEW B, 58(12) R7528 - R7531, 1998年09月, 研究論文(学術雑誌)
  • Carrier transport affected by Gamma-X transfer in type-I GaAs/AlAs superlattices
    M Hosoda; N Ohtani; H Mimura; K Tominaga; T Watanabe; H Inomata; K Fujiwara
    PHYSICAL REVIEW B, 58(11) 7166 - 7180, 1998年09月, 研究論文(学術雑誌)
  • Photoluminescence detection of the X-electron resonance in a GaAs/AlAs type-II superlattice
    M Nakayama; M Ando; Y Kumamoto; H Nishimura; N Ohtani; N Egami; K Fujiwara; M Hosoda
    PHYSICAL REVIEW B, 58(11) 7216 - 7221, 1998年09月, 研究論文(学術雑誌)
  • Carrier transport and photoluminescence affected by Gamma-X resonance in GaAs-AlAs type-I superlattices
    H Mimura; M Hosoda; N Ohtani; K Fujiwara; K Yokoo
    PHYSICA E, 2(1-4) 308 - 312, 1998年07月, 研究論文(学術雑誌)
  • Photocurrent self-oscillations in undoped GaAs/AlAs superlattices modulated by an external ac voltage
    N Ohtani; N Egami; K Fujiwara; HT Grahn
    SOLID-STATE ELECTRONICS, 42(7-8) 1509 - 1513, 1998年07月, 研究論文(学術雑誌)
  • Wavefunction delocalization of strongly-localized Stark-ladder states in a GaAs/AlAs superlattice
    M Ando; M Nakayama; H Nishimura; M Hosoda; N Ohtani; N Egami; K Fujiwara
    SOLID-STATE ELECTRONICS, 42(7-8) 1499 - 1503, 1998年07月, 研究論文(学術雑誌)
  • Carrier density dependence of transitions between chaotic and periodic photocurrent oscillations in undoped GaAs/AlAs superlattices
    N. Ohtani; N. Egami; H. T. Grahn; K. H. Ploog
    Physica B: Condensed Matter, 249-251(1) 878 - 881, 1998年06月17日, 研究論文(学術雑誌)
  • Influence of Gamma-x resonance on photocurrent-voltage characteristics in GaAs/InAlAs strained superlattices
    K Kuroyanagi; N Ohtani; N Egami; K Tominaga; M Nakayama
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 37(3B) 1650 - 1653, 1998年03月, 研究論文(学術雑誌)
  • Photocurrent and photoluminescence affected by G-X electron transfer in type-I GaAs-AlAs superlattices
    H. Mimura; M. Hosoda; N. Ohtani; K. Yokoo
    Japanese Journal of Applied Physics, 37(3B) 1650 - 1653, 1998年03月, 研究論文(学術雑誌)
  • Influence of Gamma-X mixing on carrier transport and photoluminescence in GaAs/AlAs type-I superlattices
    N Ohtani; M Hosoda; H Mimura; K Tominaga; T Watanabe; K Fujiwara
    SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 23(1) 19 - 22, 1998年, 研究論文(学術雑誌)
  • Current self-oscillations in undoped, photoexcited GaAs/AlAs type-I superlattices
    N Ohtani; N Egami; K Kuroyanagi; M Ando; M Hosoda; HT Grahn; KH Ploog
    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 204(1) 489 - 492, 1997年11月, 研究論文(学術雑誌)
  • Photoluminescence from the barrier-X state in GaAs/InAlAs strained superlattices under applied-bias voltages
    K Kuroyanagi; N Ohtani; N Egami; K Tominaga; M Ando; M Nakayama
    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 204(1) 187 - 190, 1997年11月, 研究論文(学術雑誌)
  • Avalanche breakdown mechanism originating from G-X-G transfer in GaAs/AlAs superlattices
    M. Hosoda; K. Tominaga; N. Ohtani; K. Kuroyanagi; N. Egami; H. Mimura; K. Kawashima; K. Fujiwara
    Applied Physics Letters, 71(19) 2827 - 2829, 1997年11月, 研究論文(学術雑誌)
  • Anomalously large negative differential resistance due to G-X resonances in type-I GaAs/AlAs superlattices
    M. Hosoda; N. Ohtani; K. Tominaga; H. Mimura; T. Watanabe
    Physical Review B, 56(11) 6432 - 6435, 1997年09月, 研究論文(学術雑誌)
  • Observation of Γ-X resonances in type-I GaAs-AlAs semiconductor superlattices: Anomaly in photoluminescence
    M. Hosoda; H. Mimura; N. Ohtani; K. Tominaga; K. Fujita; T. Watanabe; H. Inomata; M. Nakayama
    Physical Review B, 55(20) 13689 - 13696, 1997年05月, 研究論文(学術雑誌)
  • Subband-resonance oscillations in undoped GaAs/AlAs type-II superlattices under photoexcitation
    H Mimura; M Hosoda; N Ohtani; HT Grahn; K Yokoo
    APPLIED SURFACE SCIENCE, 113(1) 85 - 89, 1997年04月, 研究論文(学術雑誌)
  • Stark ladder photoluminescence of X states in GaAs/AlAs type-I superlattices
    N. Ohtani; M. Hosoda; H. Mimura; K. Tominaga; T. Watanabe
    Japanese Journal of Applied Physics, 36(3B) 1184 - 1187, 1997年03月, 研究論文(学術雑誌)
  • Influence of G-X resonances on G ground state electron occupation in type-I GaAs/AlAs superlattice
    M. Hosoda; K. Tominaga; N. Ohtani; H. Mimura; M. Nakayama
    Applied Physics Letters, 70(12) 1581 - 1583, 1997年03月, 研究論文(学術雑誌)
  • Investigation of X levels in GaAs/InAlAs strained superlattices
    K. Kuroyanagi; N. Ohtani; N. Egami; K. Tominaga; M. Ando; M. Nakayama
    Nonlinear Optics, 18(2) 261 - 264, 1997年, 研究論文(学術雑誌)
  • Photocurrent self-oscillations in a direct-gap GaAs-AlAs superlattice
    N Ohtani; M Hosoda; HT Grahn
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 70(3) 375 - 377, 1997年01月, 研究論文(学術雑誌)
  • Structural and optical investigations of high quality InGaAs/InAlAs short period superlattices grown on an InGaAs quasisubstrate
    K Tominaga; M Hosoda; N Ohtani; T Watanabe; H Inomata; K Fujiwara
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 80(10) 5915 - 5920, 1996年11月, 研究論文(学術雑誌)
  • Electric-field domain formation in type-II superlattices
    H Mimura; M Hosoda; N Ohtani; K Tominaga; K Fujita; T Watanabe; HT Grahn; K Fujiwara
    PHYSICAL REVIEW B, 54(4) R2323 - R2326, 1996年07月, 研究論文(学術雑誌)
  • Current self-oscillations in photoexcited type-II GaAs-AlAs superlattices
    M Hosoda; H Mimura; N Ohtani; K Tominaga; T Watanabe; K Fujiwara; HT Grahn
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 69(4) 500 - 502, 1996年07月, 研究論文(学術雑誌)
  • Influence of type-I to Type-II transition by an applied electric field on photoluminescence and carrier transport in GaAs/AlAs type-I short-period superlattices
    N Ohtani; H Mimura; M Hosoda; K Tominaga; T Watanabe; K Fujiwara
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 35(2B) 1302 - 1305, 1996年02月, 研究論文(学術雑誌)
  • Subband-resonance oscillations in photoexcited GaAs-AlAs type-II superlattices
    H. Mimura; M. Hosoda; N. Ohtani; H. T. Grahn; K. Yokoo
    Combined Optical-Microwave Earth and Atmosphere Sensing - Conference Proceedings, 137 - 140, 1996年, 研究論文(国際会議プロシーディングス)
  • Anomalously delayed carrier transport in GaAs/AlAs thin-barrier superlattices
    N Ohtani; H Mimura; K Tominaga; M Hosoda; T Watanabe; G Tanaka; K Fujiwara
    SOLID-STATE ELECTRONICS, 40(1-8) 759 - 762, 1996年, 研究論文(学術雑誌)
  • EVIDENCE FOR GAMMA-CHI TRANSPORT IN TYPE-I GAAS/ALAS SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
    M HOSODA; N OHTANI; H MIMURA; K TOMINAGA; P DAVIS; T WATANABE; G TANAKA; K FUJIWARA
    PHYSICAL REVIEW LETTERS, 75(24) 4500 - 4503, 1995年12月, 研究論文(学術雑誌)
  • DELAYED PHOTOCURRENT AFFECTED BY GAMMA-X RESONANCE IN GAAS/ALAS TYPE-I SHORT-PERIOD SUPERLATTICES
    H MIMURA; N OHTANI; M HOSODA; K TOMINAGA; T WATANABE; G TANAKA; K FUJIWARA
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 67(22) 3292 - 3294, 1995年11月, 研究論文(学術雑誌)

MISC

  • 無機有機ハイブリッドEL材料を用いた塗布型多層有機EL素子の作製
    大谷 直毅
    月刊ディスプレイ, 18(9) 26 - 30, 2012年09月, 記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)
  • 紫外領域で動作する高分子発光ダイオード
    大谷 直毅
    月刊マテリアルステージ, 4 - 5, 2010年05月, 記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)
  • 紫外高分子発光ダイオードの長寿命化と短波長動作
    大谷 直毅
    同志社大学理工学研究所研究所報, 9 10 , 2010年05月, 速報,短報,研究ノート等(大学,研究機関紀要)
  • 超高密度量子ドット作製技術
    大谷 直毅
    未来材料, 9(7) 26 - 31, 2009年07月, 記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)
  • 大容量光通信システムに用いられる面発光レーザの開発
    大谷 直毅
    同志社工学会報, 48 8 - 13, 2006年12月, 速報,短報,研究ノート等(大学,研究機関紀要)
  • Fabrication of Sb-based QDs for long-wavelength VCSELs
    YAMAMOTO Naokatsu; AKAHANE Kouichi; GOZU Shin-ichirou; UETA Akio; OHTANI Naoki; TSUCHIYA Masahiro
    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials, 2006 266 - 267, 2006年09月13日
  • 超高密度半導体量子ドット形成技術
    赤羽浩一; 山本直克; 牛頭信一郎; 上田章雄; 大谷直毅; 土屋昌弘
    情報通信研究機構季報「光COE特集」, 情報通信研究機構, 52(3) 3 - 11, 2006年09月, 機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等
  • アンチモン系量子ドットレーザの開発
    大谷 直毅
    月刊光アライアンス, 16(7) 401 - 404, 2005年12月, 記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)
  • Interface states of AlSb/InAs heterointerface with AlAs-like interface
    GOZU Shin-ichiro; AKAHANE Kouichi; YAMAMOTO Naokatsu; UETA Akio; ANDO Taro; OHTANI Naoki
    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials, 2005 766 - 767, 2005年09月13日
  • Selective Formation of Self-Organized InAs QDs on Patterned GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy
    UETA Akio; AKAHANE Kouichi; GOZU Sinichiro; YAMAMOTO Naokatsu; OHTANI Naoki
    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials, 2005 366 - 367, 2005年09月13日
  • 1.55-μm-waveband lasing operation of Sb-based quantum-dot vertical-cavity surface-emitting lasers (Sb-based QD-VCSELs) fabricated on GaAs substrate
    YAMAMOTO Naokatsu; AKAHANE Kouichi; GOZU Shin-ichirou; UETA Akio; OHTANI Naoki
    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials, 2005 94 - 95, 2005年09月13日
  • Over 1.3 mu m continuous-wave laser emission from InGaSb quantum-dot laser diode fabricated on GaAs substrates
    N Yamamoto; K Akahane; S Gozu; N Ohtani
    APPLIED PHYSICS LETTERS, AMER INST PHYSICS, 86(20) 203118 , 2005年05月
  • アンチモン系ナノ材料を用いた波長1.3ミクロン帯導波路型・面型量子ドットレーザの開発
    山本 直克; 赤羽 浩一; 牛頭 信一郎; 上田 章雄; 大谷 直毅
    電気学会研究会資料. OQD, 光・量子デバイス研究会, 2004(47) 7 - 12, 2004年12月10日
  • 光通信用アンチモン系量子ドット面発光レーザ(QD-VCSEL)の開発
    山本 直克; 赤羽 浩一; 牛頭 信一郎; 上田 章雄; 大谷 直毅
    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 一般社団法人電子情報通信学会, 104(484) 15 - 20, 2004年12月03日
  • 13pPSA-33 半導体中の励起子における Non-Markov 過程と decoherence(領域 5)
    長谷川 敦司; 早瀬 潤子; 岸本 直; 三森 康義; 山本 直克; 赤羽 浩一; 大谷 直毅; 南 不二雄; 佐々木 雅英
    日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会, 59(2) 663 - 663, 2004年08月25日
  • アンチモン系半導体量子ドットレーザの研究
    赤羽浩一; 山本直克; 大谷直毅
    情報通信研究機構季報「光COE特集」, 50(1-2) 75 - 80, 2004年05月, 機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等
  • 29pXQ-4 GaAs/AlAs多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンと励起子量子ビートの結合モード(超高速現象)(領域5)
    古市 喬干; 溝口 幸司; 小島 磨; 中山 正昭; 山本 直克; 赤羽 浩一; 大谷 直毅
    日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会, 59(1) 748 - 748, 2004年03月03日
  • 光通信用アンチモン系半導体量子ドットレーザの研究開発
    山本直克; 赤羽浩一; 大谷直毅
    TELECOM FRONTIER, 42 29 - 35, 2004年02月, 機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等
  • 共鳴フォトントンネリングによる全光スイッチ・全光メモリの解析
    山本 直克; 赤羽 浩一; 大谷 直毅
    電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス, 一般社団法人電子情報通信学会, 102(657) 37 - 42, 2003年02月14日
  • 光エレクトロニクスグループの研究紹介
    大谷 直毅
    光技術コンタクト, 40(467) 54 - 57, 2002年10月, 記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)
  • Photoluminescence from high Gamma-electron subbands and intersubband electroluminescence using X-Gamma carrier injection in a simple GaAs/AlAs superlattice
    C Domoto; T Nishimura; N Ohtani; K Kuroyanagi; PO Vaccaro; T Aida; H Takeuchi; M Nakayama
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, INST PURE APPLIED PHYSICS, 41(8) 5073 - 5077, 2002年08月
  • 28aYA-10 GaAs/AlAs超格子のコヒーレント折返し縦音響フォノンにおける有限周期数効果
    竹内 日出雄; 日野 貴; 溝口 幸司; 中山 正昭; 大谷 直毅; 黒柳 和良; 會田 田人
    日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会, 56(1) 665 - 665, 2001年03月09日
  • 半導体超格子を用いる光電流発振素子
    大谷 直毅
    ATRテクニカルレポート, TR-AC-0054, 2001年03月, 機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等
  • 25pXD-5 (n11)面方位GaAs/InAlAs超格子におけるコヒーレントフォノン
    竹内 日出雄; 溝口 幸司; 中山 正昭; 堂本 千秋; 黒柳 和良; 大谷 直毅; 會田 田人
    日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会, 55(2) 648 - 648, 2000年09月10日
  • 25pSB-3 GaAs/AlAs超格子におけるシュタルク階段状態発光
    岡本 論士; 福田 一人; 竹内 日出雄; 中山 正昭; 大谷 直毅; 會田 田人
    日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会, 55(2) 589 - 589, 2000年09月10日
  • Phase Diagram of Static and Dynamic Electric Field Domain Formation in Semiconductor Superlattices
    N. Ohtani; N. Egami; H. T. Grahn; K. H. Ploog
    International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (HCIS), (MoP-38) 74 , 1999年07月, 研究発表ペーパー・要旨(国際会議)
  • Electric-field effects on photoluminescence properties in a GaAs/AlAs marginal type-Ⅰsuperlattice
    N. Ohtani; C. Domoto; N. Egami; H. Mimura; M. Ando; M. Nakayama; M. Hosoda
    International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS), (19) 291 - 292, 1999年07月, 研究発表ペーパー・要旨(国際会議)
  • ミクロなサンドイッチで光を操る -化合物半導体光デバイス-
    大谷直毅; 黒柳和良; 堂本千秋
    ATRジャーナル, 35 8 - 9, 1999年04月, 記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)
  • Carrier Density Dependence and Phase Diagram of Static and Dynamic Domain Formation in Semiconductor Superlattices
    N. Ohtani; N. Egami; H. T. Grahn; K; H. Ploog
    18th Electronic Materials Symposium, (D5) 35 - 36, 1999年, 研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)
  • 半導体超格子サブバンドの可視化技術
    三村秀典; 細田誠; 大谷直毅; 横尾邦義
    表面科学, 19(5) 53 - 56, 1998年11月, 記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)
  • 27p-YN-14 GaAs/AlAsタイプ-I超格子において電場により誘起されるΓ-X交差
    安藤 雅信; 中山 正昭; 西村 仁; 大谷 直毅; 江上 典文; 細田 誠
    日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会, 53(2) 192 - 192, 1998年09月05日
  • 27p-YN-5 GaAs/AlAs超格子構造のおける高次サブバンドからのフォトルミネッセンス
    堂本 千秋; 大谷 直毅; VACCARO P.O
    日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会, 53(2) 190 - 190, 1998年09月05日
  • Electroluminescence in Undoped GaAs/AlAs Superlattices due to Avalanche Breakdown
    C. Domoto; N. Ohtani; K. Kuroyanagi; P. Vaccaro; N. Egami
    International Conference on Solid State Devices and Materials, 1998(C-6-5) 342 - 343, 1998年09月, 研究発表ペーパー・要旨(国際会議)
  • X-X Electron Resonance Detected by Type-ⅡPhotoluminescence in a GaAs/AlAs Superlattice
    M. Nakayama; M. Ando; H. Nishimura; N. Ohtani; N. Egami; K. Fujiwara; M. Hosoda
    International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS), (Th-P46), 1998年08月, 研究発表ペーパー・要旨(国際会議)
  • Carrier Density and Temperature Dependence of Photocurrent Self-oscillation in GaAs/AlAs Superlattices
    N. Ohtani; N. Egami; H. T. Grahn; K. H. Ploog
    International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS), (Th-P73), 1998年08月, 研究発表ペーパー・要旨(国際会議)
  • Photoluminescence detection of the X-electron resonance in a GaAs/AlAs type-II superlattice(jointly worked)
    NAKAYAMA M; ANDO M; KUMAMOTO Y; NISHIMURA H; OHTANI N; EGAMI N; FUJIWARA K; HOSODA M
    Physical Review B58, [11], 7216-7221 (1998), 58(11) 7216 - 7221, 1998年
  • 5p-E-14 GaAs/InAlAsタイプ : I超格子におけるタイプ : II発光の出現
    安藤 雅信; 中山 正昭; 西村 仁; 黒柳 和良; 大谷 直毅; 江上 典文
    日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会, 52(2) 151 - 151, 1997年09月16日
  • Photocurrent Self-Oscillations in Undoped GaAs/AlAs Superlattices Modulated by an External AC Voltage
    N. Ohtani; N. Egami; K. Fujiwara; H. T. Grahn
    International Workshop on Nano Physics and Electronics (NEP), (L-04) 95 - 96, 1997年09月, 研究発表ペーパー・要旨(国際会議)
  • Influence of Γ-X Resonance on Current-Voltage Characteristics in GaAs/InAlAs Strained Superlattices
    K. Kuroyanagi; N. Ohtani; N. Egami; K. Tominaga; M. Ando; M. Nakayama
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (D-5-3) 236 - 237, 1997年09月, 研究発表ペーパー・要旨(国際会議)
  • Observation of Gamma-X resonances in type-I GaAs/AlAs semiconductor superlattices: Anomaly in photoluminescence
    M Hosoda; H Mimura; N Ohtani; K Tominaga; K Fujita; T Watanabe; H Inomata; M Nakayama
    PHYSICAL REVIEW B, AMERICAN PHYSICAL SOC, 55(20) 13689 - 13696, 1997年05月
  • 31a-R-7 GaAs/AlAs Type-II超格子における発光特性の電場依存性
    安藤 雅信; 熊本 泰浩; 中山 正昭; 西村 仁; 細田 誠; 大谷 直毅; 黒柳 和良; 江上 典文; 藤原 賢三
    日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会, 52(1) 233 - 233, 1997年03月17日
  • GaAs/AlAs type-II超格子における光励起電流発振
    三村秀典; 細田誠; 大谷直毅; 冨永浩司
    ATRテクニカルレポート, TR-O-0108, 1996年03月, 機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等
  • 半導体超格子中のGamma-X transferのキャリア輸送に対する影響
    大谷直毅; 三村秀典; 冨永浩司; 細田誠
    ATRテクニカルレポート, TR-O-0094, 1996年03月, 機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等
  • 3-5 アンチモン系半導体量子ドットレーザの研究
    赤羽浩一; 山本直克; 大谷直毅
    情報通信研究機構季報「光COE特集」, 50(1-2) 75 - 80, 機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等

書籍等出版物

  • 塗工液の調製、安定化と コーティング技術
    橘 美里; 福井 宏志朗; 谷川 航太; 大谷 直毅
    (株)技術情報協会, 2024年08月, 分担執筆, ゾルゲル反応を利用する有機無機ハイブリッド蛍光薄膜の作製技術(pp. 151-160)
  • 基礎から学ぶ半導体電子デバイス
    大谷 直毅
    森北出版株式会社, 2019年10月, 単著, 学術書

講演・口頭発表等

  • Synthesis of Eu Complexes with Dibenzoylmethane and 2,2’-bipyridyl Ligands and Preparation of Luminescent Thin Films by Wet-process
    H. Ueda; S. Kanagawa; K. Suyama; N. Ohtani
    2023 International Display Workshops (IDW’23), 2023年12月07日
  • Preparation of dispersible carbon nitride powder and fabrication of its thin films by wet-process
    S. Minato; H. Nagata; M. Matsuda; N. Ohtani
    2023 KJF International Conference on Organic Materials for Electronics and Photonics (KJF- ICOMEP 2023), 2023年09月01日
  • Preparation of silica-based organic- inorganic hybrid fluorescent thin films and vanadium-based thin films for improved conduc- tivity by sol-gel method”, in Proceedings of The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2023)
    M. Tachibana; K. Fukui; K. Tanigawa; N. Ohtani
    The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2023), 2023年06月
  • Fabrication of sodium-doped graphitic carbon ni- tride for photoelectrochemical water splitting into hydrogen
    Y. Kurita; M. Aoki; N. Ohtani
    The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nan- otechnologies (EM-NANO2023), 2023年06月
  • Anomalous photolu- minescence branches caused by electric-field domain formations in GaAs/AlAs asymmetric double quantum well
    R. Murohara; S. Nishiyama; M. Hosoda; K. Akahane; N. Ohtani
    The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2023), 2023年06月
  • Preparation of red fluorescent materials for solution process using europium-doped benzoguanamine
    T. Niimi; H. Takemura; N. Ohtani
    The 9th In- ternational Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nan- otechnologies (EM-NANO2023), 2023年06月
  • Examination of proper impurity doping and annealing conditions for solution processed Ga2O3 thin films
    A. Momota; T. Shibahara; C. Li; N. Ohtani
    The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022), 2022年10月
  • Extraction of Natural Blue Emissive Pigments from Fraxinus Lanuginose by Column Chromatography
    T. Ohtsu; R. Ono; Y. Kinou; S. Matsukura; N. Ohtani
    2022 KJF International Conference on Organic Materials for Electronics and Photonics (KJF-ICOMEP 2022), 2022年09月
  • Improvement of Photocatalytic Effect of Carbon Nitride Dispersed in Calcium Alginate Thin Films by Using Platinum Cocatalyst and Application to Water Decomposition
    K. Mizuno; Y. Kurita; M. Aoki; N. Ohtani
    2022 KJF International Conference on Organic Materials for Electronics and Photonics (KJF-ICOMEP 2022), 2022年09月
  • Analysis of electric-field domain formations and carrier transport phenomena in GaAs/AlAs asymmetric double-quantum-well superlattices
    S. Nishiyama; R. Murohara; T. Matsui; M. Hosoda; K. Akahane; N. Ohtani
    The 20th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS20), 2021年10月
  • Analysis of electric-field domain formations and carrier transport phenomena in GaAs/AlAs asymmetric double-quantum-well superlattices
    T. Matsui; S. Nishiyama; S. Goto; M. Hosoda; K. Akahane; N. Ohtani
    EM-NANO 2021, 2021年06月02日
  • Solution-processed light-emitting diodes consisting of metal-oxide and organic-inorganic hybrid emissive thin films
    R. Kasuga; M. Tachibana; N. Ohtani
    EM-NANO 2021, 2021年06月01日
  • Preparation of carbon nitride thin films alginate gel for application to water decomposition by photocatalytic effect
    K. Mizuno; N. Ohtani
    The 3rd International Symposium on Recent Progress of Energy and Environmental Photocatalysis, 2019年11月, 口頭発表(一般)
  • Influence of strong acid on structural and photoluminescence properties of nano-amorphous graphitic carbon nitride dispersed in nitric acid
    T. Watanabe; M. Hirai; K. Takarabe; N. Ohtani
    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, 2019年11月, 口頭発表(一般)
  • Fabrication of organic-inorganic hybrid thin films by sol-gel processusing metal-alkoxide
    R. Kasuga; N. Ohtani
    The 7th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2019), 2019年06月20日, 口頭発表(一般)
  • Study of isolation method of green fluorescent pigments contained in cherry tomatoes using column chromatography
    A. Noma; N. Ohtani
    The 7th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2019), 2019年06月20日, 口頭発表(一般)
  • Separation of blue fluorescent pigments contained in Fraxinus lanuginosa f. serrata using reverse-phase column chromatography and investigation of luminescent properties
    T. Ohtsu; Y. Kinoe; N. Ohtani
    The 7th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2019), 2019年06月20日, 口頭発表(一般)
  • Preparation of organic-inorganic hybrid emissive thin films by sol-gel reaction using photo-curing binary crosslinking
    Y. Jitsui; N. Ohtani
    XX International Sol-Gel Conference (Sol-gel 20), 2019年06月, 口頭発表(一般)
  • Fabrication of nano-amorphous graphitic carbon nitride dispersion and preparation of thin films by electrostatic-spraying method
    T. Watanabe; M. Hirai; K. Takarabe; N. Ohtani
    The 7th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies} (EM-NANO 2019), 2019年06月, 口頭発表(一般)
  • Improvement of resistance of solution-processed ZnO Film by controlling annealing condition
    T. Nojiri; N. Ohtani
    The 7th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2019), 2019年06月, 口頭発表(一般)
  • Preparation of colloidal fluorescent quantum dot thin films by electrostatic spraying deposition
    R. Yamada; D. Kim; N. Ohtani
    Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2019), 2019年06月, 口頭発表(一般)
  • Photoluminescence properties of emissive polymer MEH-PPV affected by antioxidant effect of natural beta-carotene extracted from spinach
    Y. Magata; S. Imada; N. Ohtani
    The 7th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2019), 2019年06月, 口頭発表(一般)
  • Fabrication of nano-amorphous graphitic carbon nitride thin film by wet process and its optical properties
    T. Watanabe; M. Hirai; K. Takarabe; N. Ohtani
    the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018), 2018年11月, ポスター発表
  • Preparation of Graphitic Carbon Nitride Thin Films by Evaporating Melamine
    S. Minato; N. Ohtani
    the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018), 2018年11月, ポスター発表
  • Study on extraction method of blue emissive pigments contained in fraxinus lanuginose
    Y. Kinou; N. Ohtani
    the International Conference on Organic Materials for Electronics and Photonics (KJF-ICOMEP 2018), 2018年09月, ポスター発表
  • Modulation of photoluminescence properties of emissive polymers induced by mixing of beta-carotene
    S. Imada; N. Ohtani
    the International Conference on Organic Materials for Electronics and Photonics (KJF-ICOMEP 2018), 2018年09月, ポスター発表
  • Fabrication and Characterization of Carbon Nitride Fluorescent Material Using Annealed Melamine
    K. Wada; N. Ohtani
    the 34th International Conference on the physics of semiconductors (ICPS34), 2018年07月, ポスター発表
  • Natural dye-sensitized solar cells containing anthocyanin dyes extracted from frozen blueberry using column chromatography method
    A. Mizuno; G. Yamada; N. Ohtani
    the 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7), 2018年06月, ポスター発表
  • Fabrication of emissive thin films using nano-amorphous graphitic carbon nitride powders
    T. Watanabe; M. Hirai; K. Takarabe; N. Ohtani
    The 6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2017), 2017年06月, ポスター発表
  • Fabrication of Carbon Nitride-based Emissive Thin Films by Wet Process Using Annealed Melamine
    K. Wada; N. Ohtani
    The 6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2017), 2017年06月, ポスター発表
  • Blue-color photoluminescence from natural pigments extracted from Fraxinus lanuginosa
    Y. Kinou; N. Ohtani
    The 6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2017), 2017年06月, ポスター発表
  • Antioxidant effect of β-carotene and lutein isolated and purified from spinach on photoluminescence lifetime of organic emissive materials
    S. Imada; T. Ito; N. Ohtani
    The 6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2017), 2017年06月, ポスター発表
  • Carrier transport and photoluminescence properties in GaAs/AlAs asymmetric multiple-quantum well superlattices affected by resonances and scatterings between higher subband energies
    N. Ohtani; M. Hosoda
    the XXV International Materials Research Congress (IMRC), 2016年08月, 口頭発表(招待・特別)
  • Photoluminescence properties affected by subband resonances and scatterings in GaAs/AlAs asymmetric sevenfold multiple quantum wells
    R. Wang; K. Hada; K. Yoshida; M. Hosoda; K. Akahane; N. Ohtani
    the 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2016), 2016年06月, ポスター発表
  • Fabrication of organic light-emitting diodes and dye-sensitized solar cells using pigments extracted from plants
    大谷 直毅
    the 2015 International Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS 2015), 2015年11月, ポスター発表
  • Evaluation of Antioxidant Effect of Carotenoids Extracted from Spinach Using Column Chromatography Method for Improving Photoluminescence Lifetime of Organic Emissive Materials
    T. Ito; A. Emoto; N. Ohtani
    the 2015 KJF International Conference on Organic Materials for Electronics and Photonics (KJF-ICOMEP 2015), 2015年09月, ポスター発表
  • Dye sensitized solar cells containing anthocyanin dyes extracted from frozen red cabbages
    D. Isoda; S. Togo; A. Emoto; N. Ohtani
    the 1st International Caparica Conference on Chromogenic and Emissive Materials} (IC3EM), 2014年09月, ポスター発表
  • Optical properties of pigments extracted from vegetables and application to light-emitting diodes
    N. Ohtani; T. Morikawa; Y. Katano; Y. Nishida; A. Emoto
    the 25th Conference of the Condensed Matter Division of the EPS (CMD25), 2014年08月, ポスター発表
  • Inorganic-organic hybrid light-emitting diodes driven by low dc voltage containing CdSe-ZnS core-shell quantum dot emitters
    N. Ohtani; Y. Hagimoto; S. Yoshikawa
    the 32nd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-32), 2014年08月, ポスター発表
  • Improved light emission properties and operation lifetime of multi-layered organic light-emitting diodes using dyes extracted from spinach
    Y. Nishida; N. Ohtani
    the 8th International Symposium on Organic Molecular Electronics (ISOME 2014), 2014年05月, ポスター発表
  • High efficient carrier injection into wide-bandgap polymer emissive materials and application to light-emitting diodes operating in the ultraviolet region
    N. Ohtani; M. Takahashi
    the 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON18), 2013年07月, ポスター発表
  • Evaluation of antioxidant effect of carotenoid extracted from plants on the operating lifetime of organic light-emitting diodes
    Y. Nishida; N. Ohtani
    the 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2013), 2013年06月, ポスター発表
  • Organic light-emitting diodes consisting of SiO2 active layer in which emissive organic materials are dispersed
    Y. Jitsui; S. Kimura; N. Ohtani
    the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2012), 2012年07月, ポスター発表
  • Transmission electron microscope observation of organic-inorganic hybrid thin active layers of light-emitting diodes
    Y. Jitsui; N. Ohtani
    the International Conference on Superlattices, Nanostructures, and Nanodevices 2012 (ICSNN2012), 2012年07月, ポスター発表
  • Organic near-infrared photodiodes containing a wide-bandgap polymer and an n-type dopant in the active layer
    N. Ohtani; K. Nakajima; K. Bando
    the 4th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA10), 2010年08月, ポスター発表
  • Excitonic Rabi oscillations in semiconductor quantum dot observed by photon echo spectroscopy
    K. Asakura; Y. Mitsumori; H. Kosaka; K. Edamatsu; K. Akahane; N. Yamamoto; M. Sasaki; N. Ohtani
    the 30th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-30), 2010年07月, ポスター発表
  • Fabrication of organic light-emitting diodes using photosynthetic-pigments extracted from spinach
    N. Ohtani; N. Kitagawa; T. Matsuda
    the 3rd International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2010), 2010年06月, ポスター発表
  • Wavelength-tunable organic light emitting diode using Poly [methylmethacrylate-co- (7- (4-trifluoromethyl) coumarin acrylamide)] (PCA)
    大谷 直毅
    13th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS13), 2007年, Genova, Italy
  • Various photoluminescence properties due to G-X resonance in type-I GaAs/AlAs multi-quantum wells consisting of quantum wells with different thicknesses
    大谷 直毅
    nternational Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS13), 2007年, Genova, Italy
  • Influence of interface roughness on photoluminescence property in GaAs/AlAs multi-quantum wells under electric field
    大谷 直毅
    2007 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2007), 2007年, 長野
  • Various photoluminescence property observed in a GaAs/AlAs asymmetric double-quantum-well superlattice
    大谷 直毅
    International Conference on Superlattices, Nano-Structures and Nano-Devices, 2006年, Istanbul, Turkey
  • Influence of L subband states on optical and electric properties in GaAs/AlAs type-I superlattices
    大谷 直毅
    the 28th International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS-28), 2006年, Vienna, Austria
  • Optical semiconductor devices of quantum structures - Sb-based quantum dot lasers and VCSELs -
    大谷 直毅
    RLE at MIT and NICT Joint symposium on phtonic devices and systems, 2005年, Boston, USA
  • Anomalous photoluminescence branches observed in an asymmetric double-quantum-well superlattice
    大谷 直毅
    International Conference on Superlattices, Nano-structures and Nano-devices 2004 (ICSNN 2004), 2004年, Cancun, Mexico
  • 半導体量子ドット光デバイスの研究
    大谷 直毅
    NICT第1回研究発表会, 2004年, 東京
  • Formation of electric-field domains in an asymmetric double-quantum-well GaAs/AlAs superlattice
    大谷 直毅
    13th International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors} (HCIS13), 2003年, Modena, Italy
  • Uniaxial-strain-induced transition from type-II to type-I band configuration of quantum well microtubes
    大谷 直毅
    11th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-11), 2003年, Nara, Japan
  • Photoluminescence property of uniaxially strained GaAs/AlGaAs quantum wells contained in a micro-tube
    大谷 直毅
    International Conference on the Superlattices, Nano-structures and Nano-devices (ICSNN2002), 2002年, Toulouse, France
  • 超格子における光電流振動
    大谷 直毅
    応用物理学会関西支部セミナー, 2001年, 大阪
  • Observation of electron transport in GaAs/AlAs type-II superlattices under an electric field
    大谷 直毅
    2000 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (COMMAD2000), 2000年, Melbourne, Australia
  • Photocurrent self-oscillations in weakly coupled, type-II GaAs/AlAs superlattices embedded in p-i-n and n-i-n diodes
    大谷 直毅
    25th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS25), 2000年, Osaka, Japan
  • Observation of anomalous photoluminescence originating from higher-energy state mixings in GaAs/AlAs superlattices
    大谷 直毅
    第19回電子材料シンポジウム, 2000年, 静岡
  • Observation of anomalous photoluminescence originating from higher-energy state mixings in GaAs/AlAs superlattices
    大谷 直毅
    18th General Conference of the Condensed Matter Divison of the European Physical Society (CMD18), 2000年, Montreux, Switzerland
  • Anomalous photoluminescence originating from resonance between X and intermediate states in GaAs/AlAs superlattices
    大谷 直毅
    1999 International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (ICL'99), 1999年, Osaka, Japan
  • Phase diagram of static and dynamic electric field domain formation in semiconductor superlattices
    大谷 直毅
    11th International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (HCIS-11), 1999年, Kyoto, Japan
  • Electric-field effects on photoluminescence properties in a GaAs/AlAs marginal type-I superlattice
    大谷 直毅
    9th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-9), 1999年, Fukuoka, Japan
  • Carrier density dependence and phase diagram of static and dynamic domain formation in semiconductor superlattices
    大谷 直毅
    第18回電子材料シンポジウム, 1999年, 南紀白浜
  • 弱結合半導体超格子における光電流連続発振のキャリア密度および温度依存性
    大谷 直毅
    光物性研究会98, 1998年, 奈良
  • Carrier density and temperature dependence of photocurrent self-oscillations in GaAs/AlAs superlattices
    大谷 直毅
    24th International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS-24), 1998年, Jerusalem, Israel
  • Observation of chaotic photocurrent oscillations in GaAs/AlAs superlattices modulated by an external AC voltage
    大谷 直毅
    光物性研究会97, 1997年, 大阪
  • Carrier density dependence of transitions between chaotic and periodic photocurrent oscillations in undoped GaAs/AlAs superlattices
    大谷 直毅
    12th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-12), 1997年, Tokyo, Japan
  • Current self-oscillations in undoped, photoexcited GaAs/AlAs type-I superlattices
    大谷 直毅
    International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors, 1997年, Berlin, Germany
  • Photocurrent self-oscillations in undoped GaAs/AlAs superlattices modulated by an external ac voltage
    大谷 直毅
    International Workshop on Nano-physics and Electronics (NPE'97), 1997年, Tokyo, Japan
  • Influence of X states on photoluminescence in type-I GaAs/AlAs semiconductor superlattices
    大谷 直毅
    電子情報通信学会技術研究報告レーザ量子エレクトロニクス研究会, 1996年, 東京
  • Photocurrent self-oscillations in undoped indirect band-gap GaAs/AlAs superlattices
    大谷 直毅
    2nd Asia Symposium on Condensed Matter Photophysics (ASCMP-2), 1996年, 奈良
  • Current self-oscillation originating from resonant tunneling through X states in GaAs/AlAs type-II superlattices
    大谷 直毅
    23rd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-23), 1996年, Berlin, Germany
  • Stark ladder photoluminescence of X states in GaAs/AlAs type-I superlattices
    大谷 直毅
    1996 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM'96), 1996年, 横浜
  • Influence of G-X mixing on carrier transport and photoluminescence in GaAs/AlAs type-I superlattices
    大谷 直毅
    9th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices (ICSMM-9), 1996年, Liege, Belgium
  • Influence of type-I to type-II transition by an applied electric field on photoluminescence and carrier transport in GaAs/AlAs type-I short-period superlattices
    大谷 直毅
    1995 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM'95), 1995年, 大阪
  • Anomalously delayed carrier transport in GaAs/AlAs thin-barrier superlattices
    大谷 直毅
    7th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS7), 1995年, Madrid, Spain

産業財産権

  • 特許権
    発光材料、この発光材料の製造方法、および、 この発光材料を用いたインク組成物
    大谷直毅, 新美尚弘
    特願2022-134201, 学校法人同志社
  • 特許権
    有機ー無機ハイブリッド材料及びその用途ならびに有機ー無機ハイブリッド薄膜の製造方法
    大谷直毅, 宮代 明
    特願2020-136599
  • 特許権
    分散性窒化炭素の製造方法、これを用いた窒化炭素分散液の製造方法及び発光素子の製造方法
    大谷直毅, 湊祥太
    特願2020-095220
  • 特許権
    窒化炭素分散液及びこれを用いた窒化炭素膜の成膜方法
    大谷 直毅, 渡辺 貴大
    特願2019-094473
  • 特許権
    有機発光ダイオード
    大谷 直毅
    特願2014-264021
  • 特許権
    有機発光ダイオードおよびその製造方法
    大谷 直毅
    特願2012-040910
  • 特許権
    有機発光ダイオード
    大谷 直毅
    特願2010-243483
  • 特許権
    高分子紫外発光素子
    大谷 直毅
    特願2008-189524
  • 特許権
    低格子不整合における量子ドットの形成方法および量子ドット半導体素子
    3903182
  • 特許権
    光空間伝搬特性の評価装置
    3660992
  • 特許権
    超格子半導体発光装置
    2941270
  • 特許権
    半導体発光装置とその製造方法並びに光導波路装置とその製造方法
    2918881
  • 特許権
    超格子半導体装置
    2950801
  • 特許権
    超格子半導体装置
    3083768

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 希土類をドープする窒化炭素による光三原色の発光材料の結晶構造および光学特性の評価
    文部科学書 科学研究費助成事業, 2023年04月 -2026年03月, 研究代表者
  • 植物から抽出した天然カロテノイド系色素を用いる有機発光ダイオードの高性能化
    大谷 直毅
    文部科学書, 科学研究費助成事業, 2016年04月 -2019年03月, 研究代表者, 競争的資金
  • 植物から抽出した天然色素を用いる有機発光ダイオードの開発
    大谷 直毅
    文部科学省, 科学研究費助成事業, 2013年04月 -2016年03月, 研究代表者, 競争的資金
  • 高効率な微小リング共振器を有するマイクロチューブレーザの開発
    大谷 直毅
    文部科学省, 科学研究費助成事業, 2009年04月 -2012年03月, 研究代表者, 競争的資金
  • 紫外領域で動作する高分子有機ELの開発
    大谷 直毅
    独立行政法人科学技術振興機構, シーズ発掘試験研究, 2010年04月 -2011年03月, 研究代表者, 競争的資金
  • 非可視光領域で動作する新規有機ナノ構造光学材料の開発
    大谷 直毅
    文部科学省, 科学研究費助成事業, 2006年04月 -2009年03月, 研究代表者, 競争的資金
  • 非可視光領域で動作する新規有機ナノ構造光学材料の開発
    基盤研究(C)(一般), 2006年 -2007年, 競争的資金
  • Compound semiconductor photonic devices, organic electroluminescence, nano-technology
    競争的資金

担当経験のある科目(授業)

  • ゼミ演習
    同志社大学
  • 電子工学実験II
    同志社大学
  • 電気基礎実験I
    同志社大学
  • 電気回路学I, II
    同志社大学
  • Electric circuit theory
    同志社大学大学院
  • 専攻共通特殊講義(ナノテクノロジー)
    同志社大学大学院
  • 光電子デバイス特論
    同志社大学大学院
  • 電子回路
    同志社大学
  • 電子デバイスI, II
    同志社大学
  • 光通信工学
    同志社大学

研究シーズ

  • 紫外波長で動作する有機EL素子
    キーワード:有機EL:紫外:照明
    研究テーマの分野:電気・電子, 化学・ナノテク・素材
    関連研究者所属・研究者名:理工学部 電子工学科、大谷 直毅
    概要:有機EL素子はディスプレイ応用のため可視光領域の研究開発が盛んであるが、紫外領域で動作するものはほとんど研究されていない。本研究の成果によって、高分子系蛍光材料を用いる波長400nm以下の有機EL素子が開発された。
    使用用途、応用例等:白色照明にはRGB三原色を励起する短波長な紫外光源が必要であり、本研究の成果を用いれば、その紫外励起光源を含めてすべて高分子系の白色照明が作製可能となる。従って、折り曲げ可能なフレキシブル照明が実現できる。