森　良弘
モリ　ヨシヒロ
ビジネス研究科
専門職学位課程教授
Last Updated :2025/05/08

研究者情報

      科研費研究者番号

      00793332

    研究キーワード

    • イノベーション・マネジメント
    • 技術経営
    • 標準化

    研究分野

    • 人文・社会 / 経営学 / イノベーション・マネジメント
    • ナノテク・材料 / 分析化学 / 全反射蛍光X線分析

    経歴

    • 九州大学, 工学部, 非常勤講師, 2024年04月 - 現在
    • 同志社大学, 大学院ビジネス研究科ビジネス専攻, 教授, 2022年04月 - 現在
    • 大阪公立大学, 工学部, 非常勤講師, 2021年09月 - 現在
    • 同志社女子大学, 学芸学部メディア創造学科, 嘱託講師, 2020年04月 - 2025年03月
    • 株式会社堀場アドバンスドテクノ, コーポレートオフィサー 開発本部長, 2020年04月 - 2022年03月
    • 株式会社堀場アドバンスドテクノ, 開発本部長, 2017年01月 - 2020年03月
    • 株式会社堀場製作所, 液体計測開発部, 部長, 2015年01月 - 2016年12月
    • 株式会社堀場製作所, 液体計測開発部, 技術担当部長, 2012年06月 - 2014年12月
    • シルトロニック・ジャパン株式会社, R&Dグループ 洗浄分析チーム, チームリーダー, 2001年10月 - 2012年05月
    • 新日本製鐵株式会社, 先端技術研究所, 主任研究員, 1998年04月 - 2001年09月
    • 新日本製鐵株式会社, エレクトロニクス研究所, 研究員, 1991年04月 - 1998年03月

    学歴

    • 同志社大学, 大学院ビジネス研究科, ビジネス専攻, 2015年04月 - 2018年03月
    • 神戸大学, 大学院理学研究科, 化学専攻, 1989年04月 - 1991年03月
    • 神戸大学, 理学部, 化学科, 1985年04月 - 1989年03月
    • 兵庫県立八鹿高等学校, 1982年04月 - 1985年03月

    学位

    • 博士(工学), 九州大学, 1999年03月
    • ビジネス修士(専門職), 同志社大学, 2018年03月
    • 理学修士, 神戸大学, 1991年03月

    所属学協会

    • 研究イノベーション学会, 2024年10月, 9999年
    • 組織学会, 2022年09月, 9999年
    • 日本ビジネスモデル学会, 2021年07月, 9999年
    • 応用物理学会, 1992年09月, 9999年
    • 日本分析化学会, 1989年04月

    委員歴

    • JIS K0160 原案作成委員会, 2024年06月 - 現在
    • JIS K0148 原案作成委員会, 2024年06月 - 現在, その他
    • イノベーション創出井戸端会議 コアメンバー, 2020年11月 - 現在, 半導体製造装置協会(SEAJ) 人財開発専門委員会, その他
    • STRJ WG11 Yield Enhancement 委員, 2014年04月 - 現在, JEITA, 学協会
    • ISO/TC201/SC10 Expert, 2014年04月 - 現在, 学協会
    • ISO/TC201 X線表面分析WG委員, 2012年05月 - 現在, 表面化学分析技術国際標準化委員会, 学協会
    • 運営委員, 2020年04月 - 2022年03月, 未来のくらしと水の科学研究会, 学協会
    • ISO 20289 JIS原案作成委員会 委員, 2020年08月 - 2021年03月, 学協会
    • 「X線分析の進歩」編集委員, 2004年04月 - 2018年03月, 学協会
    • TXRF WG 幹事, 2007年04月 - 2012年04月, 表面化学分析技術国際標準化委員会, 学協会
    • Secretary, 2004年04月 - 2012年03月, ISO/TC201/WG2, 学協会
    • Si Wafer Committee 委員 兼 Non-Prime Wafer Task Force 共同リーダー, 2005年06月 - 2008年06月, Semiconductor Equipment and Materials Institute (SEMI), 学協会
    • ISO 17331 JIS原案作成委員会分科会, 2006年09月 - 2007年07月, 学協会
    • TXRF WG, 1999年08月 - 2007年03月, 表面化学分析技術国際標準化委員会, 学協会
    • Expert, 1999年08月 - 2004年03月, ISO/TC201/WG2, 学協会
    • ISO 14706 JIS原案作成委員会分科会, 2002年09月 - 2003年07月, 学協会
    • 材料部会, 1993年04月 - 1995年07月, UC標準化委員会, 学協会

    受賞

    • Siltronic Inventor Award 2007
      2007年07月
    • Semiconductor Equipment and Materials Institute (SEMI) Technical Committee Award 2006
      2006年12月
    • ISSM2004 Best Paper Award
      2004年09月
    • 奨励賞
      2002年09月, 日本分析化学会, 森良弘

    論文

    • High-accuracy total reflection X-ray fluorescence analysis for determining trace elements using substrate cleaned by ammonia-hydrogen peroxide mixture
      Tsugufumi Matsuyama; Yudai Tanaka; Yoshihiro Mori; Kouichi Tsuji
      Talanta, 265 124808 - 124808, 2023年06月, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URL
    • 新技術に対する技術者の認知バイアスに関する研究
      森 良弘; 北 寿郎
      BMAジャーナル, 特定非営利活動法人 日本ビジネスモデル学会, 21(1) 15 - 29, 2021年06月01日
      DOI URL
    • Vapor phase treatment–total reflection X-ray fluorescence for trace elemental analysis of silicon wafer surface
      Hikari Takahara; Yoshihiro Mori; Harumi Shibata; Ayako Shimazaki; Mohammad B. Shabani; Motoyuki Yamagami; Norikuni Yabumoto; Kazuo Nishihagi; Yohichi Gohshi
      Spectrochimica Acta Part B: Atomic Spectroscopy, 90 72 - 82, 2013年12月, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URL
    • Method and mechanism of vapor phase treatment–total reflection X-ray fluorescence for trace element analysis on silicon wafer surface
      Hikari Takahara; Yoshihiro Mori; Ayako Shimazaki; Yohichi Gohshi
      Spectrochimica Acta Part B: Atomic Spectroscopy, 65(12) 1022 - 1028, 2010年12月, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URL
    • Sweeping-TXRF: A nondestructive technique for the entire surface characterization of metal contaminations on semiconductor wafers
      Yoshihiro Mori; Kenichi Uemura; Hiroshi Kohno; Motoyuki Yamagami; Yoshinori Iizuka
      IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 18(4) 569 - 573, 2005年11月, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URLScopus URLScopus Citedby URL
    • Summary of ISO/TC 201 Standard: XIX ISO 17331:2004 - Surface chemical analysis - Chemical methods for the collection of elements from the surface of silicon-wafer working reference materials and their determination by total-reflection x-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy
      Yoshihiro Mori
      Surface and Interface Analysis, 37(5) 522 - 523, 2005年05月, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URLScopus URLScopus Citedby URL
    • Detection of unknown localized contamination on silicon wafer surface by sweeping-total reflection X-ray fluorescence analysis
      Yoshihiro Mori; Kenichi Uemura; Hiroshi Kohno; Motoyuki Yamagami; Takashi Yamada; Kousuke Shimizu; Yoshinobu Onizuka; Yoshinori Iizuka
      Spectrochimica Acta - Part B Atomic Spectroscopy, 59(8) 1277 - 1282, 2004年08月31日, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
      DOI URLScopus URLScopus Citedby URL
    • 全反射蛍光Ｘ線分析用シリコンウェハー標準試料の開発と半導体表面汚染分析への応用
      森 良弘; 上村 賢一
      分析化学, 公益社団法人 日本分析化学会, 53(2) 61 - 69, 2004年, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URL
    • Total-reflection X-ray fluorescence analysis for semiconductor process characterization
      Yoshihiro Mori; Kenichi Uemura
      Spectrochimica Acta - Part B Atomic Spectroscopy, 58(12) 2085 - 2092, 2003年12月15日, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
      DOI URLScopus URLScopus Citedby URL
    • 入射X線高次線を有効利用した二波長同時励起全反射蛍光X線分析
      森 良弘; 上村 賢一; 松尾 勝
      X線分析の進歩, 34 165 - 172, 2003年03月, 研究論文（学術雑誌）
    • Whole-surface analysis of semiconductor wafers by accumulating short-time mapping data of total-reflection x-ray fluorescence spectrometry
      Yoshihiro Mori; Kenichi Uernura; Yoshinori Iizuka
      Analytical Chemistry, 74(5) 1104 - 1110, 2002年03月01日, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URLScopus URLScopus Citedby URL
    • TXRF for Semiconductor Applications
      Yoshihiro Mori
      Advances in X-Ray Analysis, 45 523 - 532, 2002年, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    • Sensitive detection of trace copper contamination on a silicon wafer by total reflection X-ray fluorescence using W-Lβ or Au-Lβ excitation source
      Takashi Yamada; Masaru Matsuo; Hiroshi Kohno; Yoshihiro Mori
      Spectrochimica Acta - Part B Atomic Spectroscopy, 56(11) 2307 - 2312, 2001年11月30日, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URLScopus URLScopus Citedby URL
    • A method of locating dried residue on a semiconductor wafer in vapor phase decomposition-total-reflection X-ray fluorescence spectrometry by monitoring scattered X-rays
      Yoshihiro Mori; Kenichi Uemura; Motoyuki Yamagami; Takashi Yamada
      Spectrochimica Acta - Part B Atomic Spectroscopy, 56(11) 2293 - 2300, 2001年11月30日, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URLScopus URLScopus Citedby URL
    • Comparison of grazing-exit particle-induced X-ray emission with other related methods
      Kouichi Tsuji; Marc Huisman; Zoya Spolnik; Kazuaki Wagatsuma; Yoshihiro Mori; René E. Van Grieken; Ronald D. Vis
      Spectrochimica acta, Part B: Atomic spectroscopy, 55(7) 1009 - 1016, 2000年07月01日, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URLScopus URLScopus Citedby URL
    • Multi-batch preparation of standard samples from a single doped solution for cross-checking in surface metal analyses of silicon wafers
      Y. Mori; K. Uemura
      Analytical Sciences, 16(9) 987 - 989, 2000年, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URLScopus URLScopus Citedby URL
    • 全反射蛍光X線分析に用いられる標準試料の作製とその高精度分析への応用に関する研究
      森良弘
      九州大学博士論文, 1999年03月, 学位論文（博士）
    • 気相分解／全反射蛍光Ｘ線分析法によるシリコンウェハー上の軽元素分析
      山上 基行; 野々口 雅弘; 山田 隆; 庄司 孝; 宇高 忠; 森 良弘; 野村 惠章; 谷口 一雄; 脇田 久伸; 池田 重良
      分析化学, 公益社団法人 日本分析化学会, 48(11) 1005 - 1011, 1999年
      DOI URL
    • Error Factors in Quantitative Total Reflection X-Ray Fluorescence Analysis
      Yoshihiro Mori; Kenichi Uemura
      X-Ray Spectrometry, 28(6) 421 - 426, 1999年, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URLScopus URLScopus Citedby URL
    • Accuracy of Total Reflection X-Ray Fluorescence Spectrometry near the Detection Limit
      Yoshihiro Mori; Kazuhiko Kubota; Kengo Shimanoe; Tadashi Sakon
      Analytical Sciences, 14(2) 275 - 280, 1998年, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URLScopus URLScopus Citedby URL
    • A depth profile fitting model for a commercial total reflection X-ray fluorescence spectrometer
      Yoshihiro Mori; Kenichi Uemura; Kengo Shimanoe
      Spectrochimica Acta - Part B Atomic Spectroscopy, 52(7) 823 - 828, 1997年07月01日, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URLScopus URLScopus Citedby URL
    • 全反射蛍光Ｘ線分析用標準試料に関する一考察
      森良弘; 佐近正
      X線分析の進歩, 27 59 - 70, 1996年03月, 研究論文（学術雑誌）
    • Study of Depth Distribution Shift of Copper on Silicon Wafer Surface Using Total Reflection X-Ray Fluorescence Spectrometry.
      MORI Yoshihiro; SHIMANOE Kengo
      Analytical Sciences, The Japan Society for Analytical Chemistry, 12(2) 277 - 279, 1996年, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URL
    • Standard Sample Preparation for the Analysis of Several Metals on Silicon Wafer.
      MORI Yoshihiro; SHIMANOE Kengo
      Analytical Sciences, The Japan Society for Analytical Chemistry, 12(1) 141 - 143, 1996年, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URL
    • Adsorption Species of Transition Metal Ions on Silicon Wafer in SC-1 Solution
      Yoshihiro Mori; Kenichi Uemura; Kengo Shimanoe
      Journal of the Electrochemical Society, 142(9) 3104 - 3109, 1995年, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URLScopus URLScopus Citedby URL
    • A Standard Sample Preparation Method for the Determination of Metal Impurities on a Silicon Wafer by Total Reflection X-Ray Fluorescence Spectrometry†
      Yoshihiro Mori; Kengo Shimanoe; Tadashi Sakon
      Analytical Sciences, 11(3) 499 - 504, 1995年, 研究論文（学術雑誌）
      DOI URLScopus URLScopus Citedby URL

    MISC

    • 中小企業でもイノベーションを起こせる！ どこに着目し、何を工夫するべきか
      森良弘
      戦略経営者, 40(4) 34 - 36, 2025年04月01日, その他
    • なんでそんな安い価格で売るの？
      森良弘
      同志社ビジネスケース 24-1, 2024年09月
    • 10人の会社が自社ブランドで半導体業界に挑む – 有限会社NAS技研 –
      森良弘
      同志社ビジネスケース 23-01, 2024年03月
    • 研究者をたずねて 技術者の『認知バイアス』を解明しビジネスを成功に導くイノベーションマネジメント
      森良弘
      同志社大学 リエゾンオフィス ニューズレター LIAISON, 70 13 - 14, 2023年12月, 記事・総説・解説・論説等（その他）
    • 分析化学から経営学へ
      森良弘
      ぶんせき, (8) 330 , 2023年08月, その他
    • IMPACT OF COGNITIVE BIASES IN TECHNOLOGICAL DECISION-MAKING
      Yoshihiro Mori; Toshiro Kita
      Proceedings of 23rd CINet Conference, 371 - 380, 2022年09月, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）
    • 2012年X線分析関連文献総合報告
      江場宏美; 国村伸祐; 篠田弘造; 永谷広久; 中野和彦; 保倉明子; 松林信行; 森良弘; 山本孝
      X線分析の進歩, 44 41 - 72, 2013年03月31日, 書評論文,書評,文献紹介等
    • 2011年X線分析関連文献総合報告
      江場宏美; 篠田弘造; 高山透; 永谷広久; 中野和彦; 原田雅章; 前尾修司; 松林信行; 森良弘; 山本孝
      X線分析の進歩, 43 1 - 31, 2012年03月, 書評論文,書評,文献紹介等
    • 2008年X線分析関連文献総合報告
      石井真史; 栗崎敏; 高山透; 谷田肇; 永谷広久; 中野和彦; 沼子千弥; 林久史; 原田誠; 前尾修司; 松尾修司; 村松康司; 森良弘
      X線分析の進歩, 40 21 - 43, 2009年03月, 書評論文,書評,文献紹介等
    • 2007年X線分析関連文献総合報告
      石井真史; 栗崎敏; 高山透; 辻幸一; 沼子千弥; 林久史; 前尾修司; 松尾修司; 村松康司; 森良弘; 横溝臣智; 渡辺孝
      X線分析の進歩, 39 27 - 46, 2008年03月, 書評論文,書評,文献紹介等
    • 2006年X線分析関連文献総合報告
      桜井健次; 辻幸一; 中野和彦; 林久史; 松尾修司; 森良弘; 渡辺孝
      X線分析の進歩, 38 67 - 88, 2007年03月, 書評論文,書評,文献紹介等
    • 2005年X線分析関連文献総合報告
      河合潤; 桜井健次; 辻幸一; 林久史; 松尾修司; 森良弘; 渡辺孝
      X線分析の進歩, アグネ技術センタ-, 37(37) 25 - 44, 2006年03月, 書評論文,書評,文献紹介等
    • 全反射蛍光X線分析(TXRF)法による半導体表面汚染分析
      森 良弘
      理学電機ジャーナル, 32(2) 41 - 50, 2001年10月, 機関テクニカルレポート，技術報告書，プレプリント等
    • Cleaning technology of silicon wafers
      K. Uemura; T. Haibara; Y. Mori
      Nippon Steel Technical Report, 83 61 - 68, 2001年01月, 機関テクニカルレポート，技術報告書，プレプリント等
      Scopus URLScopus Citedby URL
    • Analysis technology of silicon wafers
      M. Komoda; T. Morimoto; Y. Mori
      Nippon Steel Technical Report, 83 69 - 78, 2001年01月, 機関テクニカルレポート，技術報告書，プレプリント等
      Scopus URLScopus Citedby URL
    • 博士論文要録 全反射蛍光X線分析に用いられる標準試料の作製とその高精度分析への応用に関する研究
      森 良弘
      分析化学, 公益社団法人 日本分析化学会, 49(2) 131 - 132, 2000年, 記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
      DOI URL
    • シリコンウェーハの分析技術 (シリコンウェーハ特集)
      薦田 光徳; 森 良弘; 森本 敏弘
      新日鐵技報, 373 64 - 72, 2000年, 機関テクニカルレポート，技術報告書，プレプリント等
    • シリコンウェーハの洗浄技術 (シリコンウェーハ特集)
      上村 賢一; 森 良弘; 榛原 照男
      新日鐵技報, 373 56 - 63, 2000年, 機関テクニカルレポート，技術報告書，プレプリント等
    • UC標準規格--全反射蛍光X線分析法によるシリコンウエハ上の不純物の測定方法
      半導体基盤技術研究会UC標準化委員会材料部会
      ウルトラクリーンテクノロジー, 半導体基盤技術研究会, 8(1) 44 - 82, 1996年, 記事・総説・解説・論説等（その他）
      URL
    • 全反射蛍光X線分析法によるシリコンウェーハ上の不純物の測定方法
      UC標準化委員会材料部会
      ウルトラクリーンテクノロジー, 7 312 - 343, 1995年, 記事・総説・解説・論説等（その他）

    書籍等出版物

    • シリコン結晶技術 ―成長・加工・欠陥制御・評価―
      2014年11月, 分担執筆, 5.3.1 汚染分析(化学分析：NAA, ICP-MS, TXRF)、5.3.2 汚染分析(物理分析：SIMS, EPMA/SEM-EDS)
    • 機器分析の事典
      日本分析化学会
      朝倉書店, 2005年11月25日, 分担執筆, No.68 全反射蛍光X線分析
    • X-Ray Spectrometry: Recent Technological Advances
      Tsuji, Kouichi; Injuk, Jasna; Grieken, R. van (René)
      Wiley, 2004年04月16日, 分担執筆, 7.2
    • 超精密ウェーハ表面制御技術
      松下, 嘉明
      サイエンスフォーラム, 2000年02月, 分担執筆, 第9章第2節
    • シリコンウェーハの洗浄と分析
      島ノ江 憲剛
      リアライズ理工センター, 1998年04月28日, 分担執筆, 第4章、第5章
    • ウェーハ表面完全性の創成・評価技術
      津屋英樹
      サイエンスフォーラム, 1998年03月01日, 分担執筆, 第2章第5節

    講演・口頭発表等

    • イノベーションを起こすのは"人"
      森良弘
      第72回応用物理学会春季学術講演会シンポジウム, 2025年03月15日, 口頭発表（基調）
    • 『イノベーションマネジメント』 ～何をどう革新すればいいのか？～
      森良弘
      2024年度 中小企業者等研修 第45期 経営後継者研修 在校生・卒業生合同研修会 基調講演, 2025年02月14日, 口頭発表（基調）
    • MBA入門シリーズ講座 イノベーションマネジメント
      森良弘
      同志社大学大学院ビジネス研究科, 2024年11月10日, 公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等
    • イノベーション・オブ・ライフ
      森良弘
      新島塾「合宿で鍛える知的基礎体力」, 2024年09月06日, 公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等
    • MBA入門シリーズ講座 イノベーションマネジメント
      森良弘
      同志社大学大学院ビジネス研究科, 2024年06月30日, 公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等
    • 技術開発×ビジネス
      森良弘
      「次の環境」協創コース ミニワークショップ, 2024年02月27日
    • イノベーションをマネジメントする ～経営学の視点から～
      森良弘
      日本分析化学会 分析イノベーション交流会, 2024年02月08日, 2024年02月07日, 2024年02月08日
    • MBA入門シリーズ講座 イノベーションマネジメント
      森良弘
      同志社大学大学院ビジネス研究科, 2023年12月03日, 公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等
    • イノベーション創出につながるネットワークづくりへの貢献
      森良弘
      京都工業会, 2023年09月05日, その他
    • MBA入門シリーズ講座 イノベーションマネジメント
      森良弘
      同志社大学大学院ビジネス研究科, 2023年07月23日, 公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等
    • パネルディスカッション 分析化学の将来をどう切り開くか
      森良弘
      日本分析化学会近畿支部創設70周年記念式典, 2023年06月24日, シンポジウム・ワークショップパネル（指名）
    • MBA入門講座 イノベーションマネジメント
      森良弘
      同志社大学大学院ビジネス研究科, 2022年12月25日, 公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等
    • イノベーション論の最近の潮流 ～「探索」できる組織の構築～
      森良弘
      SEAJ運営委員会特別講演, 2022年05月19日, 公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等
    • 技術で勝ってビジネスで負ける？
      森良弘
      応用物理学会 界面ナノ電子化学研究会 第4回INE Link, 2022年05月10日, 公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等
    • ビジネスにおける技術者の認知バイアス
      森良弘
      日本ビジネスモデル学会関西部会 第４回アカデミックフォーラム, 2021年12月15日, 公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等
    • 技術開発と認知バイアス
      森良弘
      日本半導体製造装置協会(SEAJ) イノベーション創出ワークショップ, 2021年03月03日, 口頭発表（一般）
    • 技術開発プロジェクトの意思決定におけるバイアスの影響
      森良弘; 北寿郎
      プロジェクトマネジメント学会 2018年度 秋季研究発表大会, 同志社大学, 2018年08月31日, 口頭発表（一般）
    • Industrial Application and Standardization of TXRF
      Yoshihiro Mori
      16th International Conference on Total Reflection X-ray Fluorescence Analysis and Related Methods (TXRF2015) and 64th Annual Denver X-ray Conference, 2015年08月, 2015年08月, 2015年08月, 口頭発表（基調）
    • Tutorial: Standardization of TXRF for Si Analysis – Historical and Recent Topics
      Yoshihiro Mori
      TXRF2015 Workshop, 2015年08月, 公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等
    • TXRF2013 Special Session “Future of TXRF”
      Yoshihiro Mori
      The 15th International Conference on Total Reflection X-ray Fluorescence Analysis and Related Methods (TXRF2013) and The 49th Annual Conference on X-Ray Chemical Analysis, 2013年09月, シンポジウム・ワークショップパネル（指名）
    • TXRF for Semiconductor Process Characterization
      Yoshihiro Mori
      9th Conference on Total Reflection X-ray Fluorescence Analysis and Related Methods, 2002年09月, 2002年09月, 2002年09月, 口頭発表（招待・特別）
    • TXRF for Semiconductor Applications
      Yoshihiro Mori
      2001 Denver X-ray Conference, 2001年07月, 2001年07月, 2001年08月, 口頭発表（招待・特別）
    • Standard Sample Preparation for Quantitative TXRF
      Yoshihiro Mori; Kengo Shimanoe
      The 5th Workshop on Total Reflection X-ray Fluorescence Spectroscopy and Related Spectroscopical Methods, 1994年10月, 1994年10月, 口頭発表（招待・特別）

    産業財産権

    • 特許権
      比較電極システム
      宮村 和宏, 中井 陽子, 森 良弘, 駒田 世志人, 有本 公彦, 辻岡 唯二, 世古 朋子, 箕輪 大輝
      特願2015-234659, 特開2016-109690, 特許第6737587号, 株式会社堀場製作所
    • 特許権
      基準値取得装置、測定システム、及び、基準値取得方法
      森 良弘, 土坂 祐太郎, 高木 想, 横山 一成, 塩田 侑里子
      特願2017-219071, 特開2019-090668, 株式会社 堀場アドバンスドテクノ
    • 特許権
      液体試料分析装置
      森 良弘, 青山 朋樹
      特願2015-213156, 特開2017-083345, 株式会社堀場製作所
    • 特許権
      比較電極システム
      宮村 和宏, 中井 陽子, 森 良弘, 駒田 世志人, 有本 公彦, 辻岡 唯二, 世古 朋子, 箕輪 大輝
      特願2015-234659, 特開2016-109690, 株式会社堀場製作所
    • 特許権
      超音波洗浄方法
      久保 悦子, 榛原 照男, 森 良弘, 内部 眞佐志
      特願2012-118633, 特開2013-247183, 特許第5894858号, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      超音波洗浄方法
      榛原 照男, 久保 悦子, 森 良弘, 内部 眞佐志
      特願2012-118634, 特開2013-247184, 特許第5872382号, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      超音波洗浄方法
      榛原 照男, 田邊 悦子, 内部 眞佐志, 森 良弘
      特願2011-283338, 特開2013-135037, 特許第5526118号, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      洗浄装置、洗浄設備および洗浄方法
      森 良弘, 榛原 照男, 内部 眞佐志, 久保 悦子
      特願2012-015450, 特開2013-157391, 特許第5470409号, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      超音波洗浄方法および超音波洗浄装置
      内部 眞佐志, 森 良弘, 榛原 照男, 久保 悦子
      特願2012-118636, 特開2013-247186, 特許第5453488号, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      超音波洗浄方法および超音波洗浄装置
      森 良弘, 内部 眞佐志, 榛原 照男, 久保 悦子
      特願2012-118635, 特開2013-247185, 特許第5453487号, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      シリコンウェハの金属不純物分析方法
      森 良弘, 前田 哲男
      特願2010-286159, 特開2012-132826, 特許第5442589号, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      超音波洗浄方法および超音波洗浄装置
      内部 眞佐志, 森 良弘, 榛原 照男, 久保 悦子
      特願2012-118636, 特開2013-247186, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      超音波洗浄方法および超音波洗浄装置
      森 良弘, 内部 眞佐志, 榛原 照男, 久保 悦子
      特願2012-118635, 特開2013-247185, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      超音波洗浄方法および超音波洗浄装置
      久保 悦子, 榛原 照男, 森 良弘, 内部 眞佐志
      特願2012-118633, 特開2013-247183, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      洗浄装置、測定方法および校正方法
      榛原 照男, 田邊 悦子, 内部 眞佐志, 森 良弘
      特願2011-242129, 特開2013-096937, 特許第5398806号, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      洗浄方法
      森 良弘, 榛原 照男, 内部 眞佐志, 久保 悦子
      特願2012-016722, 特開2013-157443, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      洗浄装置、洗浄設備および洗浄方法
      森 良弘, 榛原 照男, 内部 眞佐志, 久保 悦子
      特願2012-015450, 特開2013-157391, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      超音波洗浄方法
      榛原 照男, 田邊 悦子, 内部 眞佐志, 森 良弘
      特願2011-283338, 特開2013-135037, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      溶存窒素濃度のモニタリング方法
      榛原 照男, 田邊 悦子, 内部 眞佐志, 森 良弘
      特願2010-283078, 特開2012-132708, 特許第5298112号, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      洗浄装置、測定方法および校正方法
      榛原 照男, 田邊 悦子, 内部 眞佐志, 森 良弘
      特願2011-242129, 特開2013-096937, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      シリコンウェハの金属不純物分析方法
      森 良弘, 前田 哲男
      特願2010-286159, 特開2012-132826, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      溶存窒素濃度のモニタリング方法
      榛原 照男, 田邊 悦子, 内部 眞佐志, 森 良弘
      特願2010-283078, 特開2012-132708, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      半導体ウェーハを湿式化学的処理する方法
      ギュンター シュヴァープ, クレメンス ツァピルコ, トーマス ブッシュハルト, ディエゴ フェイホー, 榛原 照男, 森 良弘
      特願2008-293975, 特開2009-141347, 特許第4948508号, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄装置
      森 良弘
      特願2009-285574, 特開2010-171395, 特許第4890606号, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      半導体基板の洗浄方法
      森 良弘
      特願2006-056412, 特開2007-234964, 特許第4817887号, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      半導体ウェーハの超音波洗浄方法及び超音波洗浄装置
      内部 眞佐志, 榛原 照男, 森 良弘
      特願2010-231107, 特開2011-155240, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      半導体ウエハの超音波洗浄装置及び洗浄方法
      森 良弘
      特願2009-130610, 特開2010-278305, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      フレームレス原子吸光法によるアルミニウムの分析方法
      森 良弘
      特願2009-127275, 特開2010-276398, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄装置
      森 良弘
      特願2009-285574, 特開2010-171395, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
      毛利 敬史, 榛原 照男, 森 良弘
      特願2008-329235, 特開2010-153541, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      半導体ウェーハを湿式化学的処理する方法
      ギュンター シュヴァープ, クレメンス ツァピルコ, トーマス ブッシュハルト, ディエゴ フェイホー, 榛原 照男, 森 良弘
      特願2008-293975, 特開2009-141347, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      シリコンエッチング方法
      森 良弘, 下村 文二
      特願2007-318555, 特開2008-182201, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      電子材料用洗浄液および洗浄方法
      榛原 照男, 森 良弘, 毛利 敬史
      特願2007-277936, 特開2008-182188, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      疎水性シリコンウエハ用洗浄水及びそれを用いた洗浄方法
      毛利 敬史, 榛原 照男, 森 良弘, 森田 博志, 井田 純一
      特願2006-352646, 特開2008-166404, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト, 栗田工業株式会社
    • 特許権
      洗浄方法及び洗浄装置
      毛利 敬史, 榛原 照男, 森 良弘
      特願2006-353071, 特開2008-166426, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      シリコンウエハ表面損傷評価方法
      山田 豊, 森 良弘
      特願2006-341715, 特開2008-153538, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      シリコンウェハのウェット処理方法
      榛原 照男, 森 良弘
      特願2007-241474, 特開2008-103701, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      全反射蛍光X線分析装置
      森 良弘, 河野 浩, 清水 康裕, 松尾 勝
      特願2005-027960, 特開2006-214868, 特許第4095991号, シルトロニック・ジャパン株式会社, 理学電機工業株式会社
    • 特許権
      シリコンウエハ表面の不純物除去方法
      薦田 光徳, 森 良弘
      特願2006-194375, 特開2008-021924, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      半導体基板の洗浄方法
      森 良弘
      特願2006-056412, 特開2007-234964, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      半導体ウエーハ研磨剤用金属汚染防止剤
      森 良弘, 田畑 誠
      特願2005-262533, 特開2007-073908, ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
    • 特許権
      全反射蛍光X線分析装置
      森 良弘, 河野 浩, 清水 康裕, 松尾 勝
      特願2005-027960, 特開2006-214868, シルトロニック・ジャパン株式会社, 理学電機工業株式会社
    • 特許権
      アルカリエッチング液及びアルカリエッチング方法
      西村 茂樹, 森 良弘, 林 徳之
      特願2004-278064, 特開2006-093453, シルトロニック・ジャパン株式会社
    • 特許権
      半導体基板の洗浄方法
      大塚 進, 上村 賢一, 森 良弘
      特願平8-085339, 特開平9-278600, 特許第3749567号, シルトロニック・ジャパン株式会社
    • 特許権
      エッチング液、エッチング方法及び半導体ウェーハ
      森 良弘, 西村 茂樹
      特願2004-159781, 特開2005-340649, シルトロニック・ジャパン株式会社
    • 特許権
      シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液
      上村 賢一, 森 良弘, 大塚 進
      特願平8-248266, 特開平10-098018, 特許第3649534号, シルトロニック・ジャパン株式会社
    • 特許権
      蛍光X線分析装置
      森 良弘, 山田 隆, 清水 一明
      特願2001-191042, 特開2003-004672, 理学電機工業株式会社
    • 特許権
      分析位置設定手段を備えた蛍光X線分析方法およびその装置
      森 良弘, 山上 基行
      特願2000-165537, 特開2001-343339, 理学電機工業株式会社, ワッカー・エヌエスシーイー株式会社
    • 特許権
      保管容器
      森 良弘, 上村 賢一, 薦田 光▲徳▼, 榛原 照男, 森本 敏弘
      特願平11-333985, 特開2001-151274, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      半導体基板の洗浄方法及び半導体基板
      森 良弘, 上村 賢一, 大塚 進, 森本 敏弘
      特願平10-297050, 特開2000-124182, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      蒸気洗浄方法
      島ノ江 憲剛, 窪田 和彦, 大塚 進, 上村 賢一, 森 良弘
      特願平6-099231, 特開平7-283192, 特許第3040307号, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      蒸気洗浄装置
      島ノ江 憲剛, 窪田 和彦, 大塚 進, 上村 賢一, 森 良弘
      特願平6-099228, 特開平7-283190, 特許第3040306号, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      蛍光X線分析装置
      森 良弘, 庄司 孝
      特願平10-221460, 特開2000-055839, 新日本製鐵株式会社, 理学電機工業株式会社
    • 特許権
      シリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液
      佐近 正, 上村 賢一, 森 良弘, 島ノ江 憲剛, 大塚 進, 宗平 修司
      特願平5-283845, 特開平7-115077, 特許第2857042号, 新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
    • 特許権
      シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液
      上村 賢一, 森 良弘, 大塚 進
      特願平8-248266, 特開平10-098018, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      微粒子除去方法
      上村 賢一, 森 良弘, 大塚 進
      特願平8-114510, 特開平9-298182, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      金属除去方法
      上村 賢一, 森 良弘, 大塚 進
      特願平8-114511, 特開平9-298178, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      試料分析方法および装置
      森 良弘
      特願平8-100980, 特開平9-288092, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      半導体基板の洗浄方法
      大塚 進, 上村 賢一, 森 良弘
      特願平8-085342, 特開平9-283480, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      シリコン酸化膜の形成方法
      上村 賢一, 森 良弘, 大塚 進
      特願平8-085341, 特開平9-283517, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      半導体基板中のAlの分析方法およびその装置
      森 良弘
      特願平8-085340, 特開平9-283583, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      半導体基板の洗浄方法
      大塚 進, 上村 賢一, 森 良弘
      特願平8-085339, 特開平9-278600, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      半導体基板用洗浄液
      大塚 進, 上村 賢一, 森 良弘
      特願平8-085343, 特開平9-279189, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      全反射蛍光X線分析装置の管理方法
      森 良弘
      特願平7-224601, 特開平9-054051, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      蒸気洗浄方法
      島ノ江 憲剛, 窪田 和彦, 大塚 進, 上村 賢一, 森 良弘
      特願平6-099231, 特開平7-283192, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      蒸気洗浄方法
      島ノ江 憲剛, 大塚 進, 上村 賢一, 森 良弘
      特願平6-099230, 特開平7-283191, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      蒸気洗浄装置
      島ノ江 憲剛, 窪田 和彦, 大塚 進, 上村 賢一, 森 良弘
      特願平6-099227, 特開平7-283189, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      蒸気洗浄装置
      島ノ江 憲剛, 窪田 和彦, 大塚 進, 上村 賢一, 森 良弘
      特願平6-099228, 特開平7-283190, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      蒸気洗浄装置
      島ノ江 憲剛, 窪田 和彦, 大塚 進, 上村 賢一, 森 良弘
      特願平6-099226, 特開平7-283188, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      洗浄液乾燥装置
      島ノ江 憲剛, 窪田 和彦, 大塚 進, 上村 賢一, 森 良弘
      特願平6-099229, 特開平7-283193, 新日本製鐵株式会社
    • 特許権
      洗浄液及び洗浄方法
      森 良弘, 佐近 正, 上村 賢一, 畑中 裕行, 垂永 伸二
      特願平6-058258, 特開平7-245281, 新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
    • 特許権
      シリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液
      佐近 正, 上村 賢一, 森 良弘, 島ノ江 憲剛, 大塚 進, 宗平 修司
      特願平5-283845, 特開平7-115077, 新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
    • 特許権
      シリコンウェハ表面の金属汚染分析用標準試料の作製方法
      森 良弘, 佐近 正
      特願平5-039055, 特開平6-249764, 新日本製鐵株式会社

    共同研究・競争的資金等の研究課題

    • 技術開発組織における技術選択に関する研究―個人の意思決定に着目して―
      森 良弘
      日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 2023年04月 -2027年03月, 基盤研究(C), 同志社大学
    • 技術者の認知バイアスが技術判断に及ぼす影響に関する研究
      森 良弘
      日本学術振興会, 科学研究費助成事業 研究活動スタート支援, 2022年08月 -2024年03月, 研究活動スタート支援, 同志社大学

    社会貢献活動

    • JIS K 0181:2021 「表面化学分析－水溶液の全反射蛍光Ｘ線分析方法」, 日本規格協会, 2021年11月22日, その他
    • ISO 17331:2004/Amd 1:2010 Surface chemical analysis — Chemical methods for the collection of elements from the surface of silicon-wafer working reference materials and their determination by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy, ISO, 2010年07月15日, その他
    • JIS K 0160:2009 「表面化学分析－シリコンウェーハ表面からの金属の化学的回収方法及び全反射蛍光Ｘ線（TXRF）分析法による定量方法」, 日本規格協会, 2009年07月20日, その他
    • JIS K 0148:2005 「表面化学分析－全反射蛍光X 線分析法（TXRF）によるシリコンウェーハ 表面汚染元素の定量方法」, 日本規格協会, 2005年03月20日, その他
    • ISO17331:2004 Surface chemical analysis — Chemical methods for the collection of elements from the surface of silicon-wafer working reference materials and their determination by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy, ISO, 2004年05月15日, その他
    • ISO14706:2000 Surface chemical analysis — Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy, ISO, 2000年12月01日, その他

    担当経験のある科目（授業）

    • イノベーション基礎
      同志社大学 全学共通教養教育科目
    • マーケティング論
      九州大学 工学部
    • オープンイノベーション
      同志社大学 大学院 ビジネス研究科
    • Strategic Management for Innovation and Change
      同志社大学 大学院 ビジネス研究科 グローバル経営研究専攻
    • ビジネスモデルイノベーション
      同志社大学 大学院 ビジネス研究科
    • イノベーションマネジメント
      同志社大学 大学院 ビジネス研究科
    • マネージメント研究
      同志社女子大学 学芸学部 メディア創造学科
    • 物質変換化学特論
      高知大学